一种半导体封装包含第一集成电路IC结构。所述第一IC结构包含：第一主体，其具有第一主表面及第一副表面，其中所述第一主表面基本上垂直于所述第一副表面；及互连结构。所述互连结构包含所述第一主表面上方的主重布层RDL，其中所述主RDL具有与所...

本申请案公开一种半导体封装，其包含：处理器裸晶，其由前侧或后侧电源供给网络供电；多个存储器裸晶及控制裸晶，其堆叠于所述处理器裸晶之上；多个高热导率HTC互连件，其形成于所述裸晶上、定位于所述裸晶之间及/或与所述裸晶并排放置；HTC衬底，...

本公开提供一种半导体封装其包含：通过前侧或后侧电源供给网络供电的处理器裸晶，堆叠在所述处理器裸晶上的多个存储器裸晶及控制裸晶，与所述裸晶并排设置或设置在所述裸晶之间的多个高热导率互连，及乘载所有裸晶的衬底。所述衬底具有允许液体通过的第一...

半导体结构包括基板及包含基板上方的复合块的第一电路。包含复合块的第一电路包括其中的通孔以及其上的重布层。包含复合块的第一电路包括半导体块及钻石块。

提出一种钻石复合晶圆的制造方法，包括以下步骤：(a).在一钻石复合晶圆中形成数个通孔，并在钻石复合晶圆的一第一侧上形成一第一重布层；(b).将一暂时载体附着于第一重布层，及并在钻石复合晶圆的一第二侧上形成一第二重布层；以及，(c).释放...

一种形成预定直径的第一钻石复合晶圆、第二钻石复合晶圆或第三钻石复合晶圆的方法，包括以下步骤：准备多个钻石块，各钻石块的尺寸小于预定直径。将多个钻石块附着于具有预定直径的第一半导体基板上，以形成第一暂时复合晶圆，其中第一半导体基板的热导率...

一种半导体装置包括一第一半导体基板及一第二半导体基板。第一半导体基板包括第一基材、第一接合层及第一导电接点。第一接合层具有第一通孔。第一导电接点形成于第一通孔内。第二半导体基板包括第二基材、第二接合层及第二导电接点。第二接合层具有第二通...

提供一种探针卡系统。所述探针卡系统包含：测试机组合件；探头主体，其经配置以与所述测试机组合件耦合；第一互连结构，其在所述探头主体的第一侧上；及探针层结构，其在所述探头主体的所述第一侧上的所述第一互连结构上，所述探针层结构经配置以与待测晶...

本发明提供一种半导体封装。所述半导体封装包含集成电路IC块及第一衬底。所述IC块具有第一互连层。所述第一衬底承载所述IC块。所述第一衬底包含面向所述第一互连层的第二互连层及与所述第二互连层相对的第三互连层。此外，所述第二互连层或所述第三...

提供了一种半导体装置。半导体装置包括核芯、第一增层结构及输入/输出导电结构。核芯具有第一表面及第二表面。第一增层结构形成于第一表面及/或第二表面上且包括多个第一增层导电部。输入/输出导电结构形成于第一增层结构上方且包括多个输入/输出导电...

一种半导体装置，包括基板模块及第一处理器。基板模块包括第一基板、第一稳压元件和第一接地法拉第元件。第一稳压元件埋设于第一基板且包括多个表面。第一接地法拉第元件埋入第一基板并覆盖第一稳压元件的一个或多个表面。第一处理器配置于基板模块上方。...

本发明提供了一种用于超大型集成电路和先进集成电路的高良率及高密度/超细间距封装。封装包括基板和半导体芯片。基板具有覆盖于基板的第一层表面的钝化层，钝化层中有多个孔洞形成，多个焊球分别容纳于多个孔洞内。半导体芯片具有多个第一接触垫，其中多...

本发明提供将金刚石与双晶圆微结构实现于先进IC与先进IC封装中的机会，以形成新类型的IC与SiP，其可超越处于IC发展最前线的硅的限制，主要是因为金刚石具有极端散热能力。金刚石的极端散热能力可用以使处理器与例如GaN HEMT等其他高功...