【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置、半导体基板及其制造方法，尤其涉及一种包括二半导体基板的半导体装置、半导体基板及其制造方法。
技术介绍
1、自1960年代出现在微电子工业，覆晶芯片(flip chip)本身已提升为首要的互连技术，其致使高阶集成电路(integrated circuit,ic)及包含高阶ic的高阶系统级封装(system-in-a-package,sip)能够随更高复杂性及更精细的互连间距继续扩展。在过去六十年左右的时间里，覆晶芯片焊料连接已从仅仅依靠包含铅焊料凸块之传统及粗间距接点发展到无铅焊料凸块及细间距铜柱微凸块。当今最先进的覆晶芯片采用40μm的微凸块(micro-bump)间距，约20μm的凸块尺寸，约20μm的间距。为了使半导体工业透过产品小型化从高阶逻辑装置(例如，高端处理器)及高阶存储装置(例如，高频宽存储器dram)中获取最大性能，扩展到小于40μm间距是至关重要。
技术实现思路
1、根据本专利技术第一实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置包括一第一半导体基板及一第二半导体基板。第一半导体基板包括第一基材、第一接合层及第一导电接点。第一接合层具有第一通孔。第一导电接点形成于第一通孔内。第二半导体基板包括第二基材、第二接合层及第二导电接点。第二接合层具有第二通孔。第二导电接点形成于第二通孔内。第一导电接点电性连接第二导电接点，且第一接合层与第二接合层直接接触。
2、根据本专利技术第二实施例，第一实施例的第一接合层与第二接合层之间不存在黏合层
3、根据本专利技术第三实施例，第一实施例的第一接合层与第二接合层由相同材料形成。
4、根据本专利技术第四实施例，第一实施例的第一基材为硅基材，第一半导体基材更包括一第一图案化导电层，第一图案化导电层形成于第一基材上方并从第一通孔露出。
5、根据本专利技术第五实施例，第一实施例的第一半导体基板更包括一第一图案化导电层及一第一导电通孔，第一导电通孔形成于第一基材内且电性连接第一图案化导电层。
6、根据本专利技术第六实施例，第一实施例的第二半导体基板更包括二第二图案化导电层、另一第二接合层、另一第二通孔、另一第二导电接点及一第二导电通孔。二第二图案化导电层形成于第二基材的二侧。第二接合层与另一第二接合层形成于二第二图案化导电层上方。第二通孔与另一第二通孔分别形成于第二接合层与另一第二接合层内。另一第二导电接点形成于另一第二通孔内。第二导电通孔电性连接二第二图案化导电层。
7、根据本专利技术第七实施例，第一实施例的半导体装置更包括一第三半导体基板。第三半导体基板包括一第三基材、一第三接合层及一第三导电接点。第三接合层具有一第三通孔。第三导电接点形成于第三通孔内。半导体基板更包括另一第二接合层，且第二接合层与另一第二接合层分别形成于二第二图案化导电层上方，且第三接合层与另一第二接合层直接接触。
8、根据本专利技术第八实施例，第一实施例的第一半导体基板包括形成于第一通孔的一第一侧壁上的一第一阻障层。
9、根据本专利技术第九实施例，第一实施例的半导体装置更包括形成在第一导电接点与第二导电接点之间的焊料。
10、根据本专利技术第十实施例，提出一种半导体基板。半导体基板包括一基材、一接合层及一导电接点。接合层具有一接合面及一自接合面延伸的通孔。导电接点形成在通孔内，并相对接合面凹陷。接合面为平坦化表面。
11、根据本专利技术第十一实施例，第十实施例的半导体基板更包括一焊料，形成于在导电接点。
12、根据本专利技术第十二实施例，提出一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括以下步骤：制备一第一半导体基板，包括：形成一第一接合层于第一基材上方，其中第一接合层具有一第一通孔；及形成一第一导电接点于第一通孔内；制备一第二半导体基板，包括：形成一第二接合层于一第二基材上方，其中第二接合层具有一第二通孔；及形成一第二导电接点在第二通孔内；以及，使第一接合层与第二接合层直接接触。
13、根据本专利技术第十三实施例，在第一接合层与第二接合层直接接触之前，第十二实施例的制造方法更包括：使用一食人鱼溶液(piranha solution)，预清洗第一接合层的一第一接合面；以及使用食人鱼溶液，预清洗第一接合层的一第二接合面。
14、根据本专利技术第十四实施例，在第一接合层与第二接合层直接接触之前，第十二实施例的制造方法更包括：使用一电浆，激活第一接合层的一第一接合面；以及使用电浆，激活第二接合层的一第二接合面。
15、根据本专利技术第十五实施例，第十二实施例的制造方法更包括：使用一去离子水，润湿第一接合层的一第一接合面；以及使用去离子水，润湿第二接合层的一第二接合面。
16、根据本专利技术第十六实施例，第十五实施例的制造方法更包括：在润湿第一接合层的第一接合面后，形成一第一亲水结构于第一接合层的第一接合面上；以及在润湿第二接合层的第二接合面后，形成一第二亲水结构于第二接合层的第二接合面上；其中，第一接合层与第二接合层透过第一亲水结构与第二亲水结构自动对齐。
17、根据本专利技术第十七实施例，第十二实施例的制造方法更包括：使用一红外线雷射(infrared laser)，加热第一接合层与第二接合层。
18、根据本专利技术第十八实施例，第十七实施例的制造方法更包括：在加热第一接合层与第二接合层的步骤期间，电性连接第一导电接点与第二导电接点。
19、在阅读了以下各种附图中所示的优选实施例的详细描述之后，本专利技术的这些和其他目标对于本领域中具有通常知识者来说无疑将变得显而易见。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一接合层与该第二接合层之间不存在黏合层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一接合层与该第二接合层由相同材料形成。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一基材为硅基材，该第一半导体基材更包括一第一图案化导电层，该第一图案化导电层形成于该第一基材上方并从该第一通孔露出。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体基板更包括一第一图案化导电层及一第一导电通孔，该第一导电通孔形成于该第一基材内且电性连接该第一图案化导电层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二半导体基板更包括：
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一第三半导体基板，包括：
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体基板包括形成于该第一通孔的一第一侧壁上的一第一阻障层。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括形成在该第一导电接点与该
10.一种半导体基板，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体基板，其特征在于，更包括：
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在该第一接合层与该第二接合层直接接触之前，该制造方法更包括：
14.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在该第一接合层与该第二接合层直接接触之前，该制造方法更包括：
15.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该制造方法更包括：
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于：
17.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，更包括：
18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，更包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一接合层与该第二接合层之间不存在黏合层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一接合层与该第二接合层由相同材料形成。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一基材为硅基材，该第一半导体基材更包括一第一图案化导电层，该第一图案化导电层形成于该第一基材上方并从该第一通孔露出。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体基板更包括一第一图案化导电层及一第一导电通孔，该第一导电通孔形成于该第一基材内且电性连接该第一图案化导电层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二半导体基板更包括：
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一第三半导体基板，包括：
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体基板包括形成于该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐和明，
申请(专利权)人：铨心半导体异质整合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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