陶瓷基座制造技术

技术编号：40299621 阅读：5 留言：0更新日期：2024-02-07 20:47

本发明专利技术涉及一种陶瓷基座。本发明专利技术的陶瓷基座包括：绝缘板件，其配置有高频电极；轴体，其一端连接至绝缘板件，另一端具有隔离板；连接底座，其上部连接至所述轴体的另一端；第一杆体和第二杆体，其连接至所述高频电极，并贯通所述隔离板向所述连接底座的内部延伸；以及连接构件，其将所述第一杆体和所述第二杆体连接至导入杆体，所述第一杆体和所述第二杆体配置于所述连接底座内，并向所述连接底座的内部延伸。并且，所述连接构件包括弹性构件，所述弹性构件用于吸收因所述第一杆体、所述第二杆体和所述导入杆体之间的热量而引起的变形的差异。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷基座(ceramic susceptor)，尤其，涉及一种具有降低高频电极部的发热的结构的陶瓷基座。

技术介绍

1、通常，通过在玻璃基板、柔性基板或半导体晶圆基板上按顺序堆叠包括介电层和金属层的多个薄膜层，然后进行图案化的方式来制造半导体器件或显示装置。这些薄膜层通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺或物理气相沉积(physicalvapor deposition，pvd)工艺按顺序沉积在基板上。所述cvd工艺包括低压化学气相沉积(low pressure cvd，lpcvd)工艺、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced cvd，pecvd)工艺、有机金属化学气相沉积(metal organic cvd，mocvd)工艺等。陶瓷基座配置于这种cvd装置和pvd装置，所述陶瓷基座用于支撑玻璃基板、柔性基板、半导体晶圆基板等，并产生规定的热量或产生用于生成等离子体的高频信号。为了半导体器件的布线精细化等精密的工艺，基于精确的温度控制和热处理的要求等，所述陶瓷基座被广泛地应用于等离子体沉积等工艺中，并且，在半导体晶圆基板上形成的薄膜层的蚀刻工艺(etchingprocess)、或光刻胶(photoresist)的烧成工艺等中，用于等离子体的形成或基板的加热。

2、如图1所示，传统的陶瓷基座包括结合至轴体20的绝缘板件10，绝缘板件10包括配置于陶瓷材料中的高频(rf)电极12，并且高频(rf)电极12通过并联高频(rf)电极用杆体21、23

3、然而，在这种传统结构中，由于向两个高频(rf)电极用杆体21、23分别施加的热膨胀的程度可能会不同，故存在如下问题：两个高频(rf)电极用杆体21、23中的任意一个以上出现裂纹或者发生短路，从而发生无法正常供电的故障。

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、因此，本专利技术是为了解决上述问题而完成的。本专利技术的目的在于，提供一种陶瓷基座，其中，当在连接底座内将轴体内的两个以上的高频电极杆体进行连接时，即便高频电极杆体之间存在热膨胀差异，也可通过应用可吸收所述热膨胀差异的连接构件来保持电气特性，从而不会导致高频电极杆体出现裂纹或者发生短路。

3、用于解决技术问题的手段

4、首先，概括本专利技术的特征如下：用于实现上述目的的根据本专利技术的一方面的陶瓷底座包括：绝缘板件，其配置有高频电极；轴体，其一端连接至绝缘板件，另一端具有隔离板；连接底座，其上部连接至所述轴体的另一端；第一杆体和第二杆体，其连接至所述高频电极，并贯通所述隔离板向所述连接底座的内部延伸；以及连接构件，其将所述第一杆体和所述第二杆体连接至导入杆体，所述第一杆体和所述第二杆体配置于所述连接底座内，并向所述连接底座的内部延伸。并且，所述连接构件包括弹性构件，所述弹性构件用于吸收因所述第一杆体、所述第二杆体和所述导入杆体之间的热量而引起的变形的差异。

5、所述弹性构件包括：用于紧固第一杆体的第一紧固部；用于紧固所述第二杆体和所述导入杆体的第二紧固部；所述第一紧固部和所述第二紧固部之间的弯曲板件。

6、所述连接构件包括：用于结合所述第一杆体的第一结合构件；用于结合所述第二杆体的第二结合构件；用于结合所述导入杆体的第三结合构件；以及用于将所述第一结合构件、所述第二结合构件和所述第三结合构件结合为一个的具有弹性的所述弹性构件。

7、所述高频电极包括第一高频电极和第二高频电极。并且，所述第一杆体和所述第一高频电极电连接，所述第二杆体和所述第二高频电极电连接。

8、所述陶瓷基座还可以包括用于测定所述连接底座的内部温度的温度传感器。

9、所述陶瓷基座还可以包括用于冷却所述连接底座的冷却结构物。

10、所述连接底座是密封的形态，其包括用于冷却介质的循环的导入口和排除口，并且所述导入杆体贯通密封的所述连接底座，从而向外部暴露。

11、所述陶瓷基座还包括固定所述导入杆体的固定板。并且，所述导入杆体可以贯通所述固定板并贯通所述连接底座，从而向外部暴露。

12、专利技术效果

13、就根据本专利技术的陶瓷基座而言，当在连接底座内将轴体内的两个以上的高频电极杆体进行连接时，即便高频电极杆体之间存在热膨胀差异，也可在连接构件中通过弹性构件(具有优异弹性的中间媒介构件)来吸收其变形，故即便高频电力增加，也能够防止高频电极杆体出现裂纹、防止发生由于氧化而引起的短路、并且防止高频电极部产生电弧或者局部发热，从而保持恒定的电气特性，由此使得基板工艺中的薄膜不发生异常，还可通过稳定的半导体工艺来帮助实现收率的提升。

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【技术保护点】

1.一种陶瓷基座，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

3.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

4.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

5.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

6.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

7.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

8.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷基座，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

3.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

4.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：裴韩音，李柱声，
申请(专利权)人：美科陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人