【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板加热装置，更具体地，涉及一种能够有效地抑制在与发热体连接器连接的导线周围产生的微细裂纹(crack)的基板加热装置，其中，所述发热体连接器用于在基板加热装置中向发热体供应电流。
技术介绍
1、通常，为了制造平板显示面板或半导体器件，需要经过在诸如玻璃基板、柔性基板或半导体基板等的基板上按照顺序层叠并图案化一系列层的工艺，其中，所述一系列层包括介电层和金属层。此时，所述介电层和金属层等一系列层通过诸如化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)等的工艺沉积在所述基板上。
2、此时，为了均匀地形成所述各层，需要以均匀的温度加热所述基板，因此可使用基板加热装置以加热和支撑所述基板。所述基板加热装置可在所述基板上形成的介电层或金属层的蚀刻工艺(etching process)、光阻薄膜(photo resistor)的烧结工艺等中使用，以加热基板。
3、此外，近年来，根据对于半导体器件的布线微细化和半导体基板的精确热处理的需求，对于能够减少所述基板加热装置的温度偏差的方案的需求仍在持续着。特别是，用于支撑主体部的支撑部位于基板加热装置的中心区域，所述支撑部内置有发热体且由陶瓷等制成，因此，由于热容量增加等问题，即使向基板加热装置的各区域供应相同的热量，各区域也会产生温度偏差。
4、对此，如图1所示，已经在尝试一种技术，即，通过将基板加热装置划分成内部区域(图1中的区域(b))
5、此外，基板加热装置的主体部通常由诸如氮化铝(aln)等的陶瓷制成，而所述发热体等由诸如钼(mo)等的金属制成，在所述基板加热装置的制造工艺中，将所述发热体等布置于由所述诸如氮化铝(aln)等的陶瓷制成的主体部内的预设位置后，在高温(例如，约1800℃)环境下施加高压并烧结(sintering)所述陶瓷，从而制造所述主体部。
6、然而，在所述烧结工艺中，在高温环境下施加高压时，由于诱发由制成所述主体部的陶瓷与发热体的金属材质之间的热膨胀系数(cte)之差而引起的热应力及由所述高压引起的压缩应力，会在所述主体部的陶瓷产生微细裂纹(crack)，而且，还会根据基板加热装置的使用，导致由所述微细裂纹(crack)的扩散引起的基板加热装置的耐久性劣化及使用寿命缩短。
7、特别是，如图2所示，已确认所述微细裂纹(crack)是由于连接至位于陶瓷基板加热装置中心的轴(shaft)内侧的发热体连接器的金属导线而集中产生的(如图2的(b)中的(a)，可通过超声波无损检测确认以深阴影显示的微细裂纹(crack)的产生的位置)。此外，如图3所示，已确认在所述金属导线产生的微细裂纹(crack)(图3的(a))可传播到位于其下部的高频网格层(rf mesh layer)(图3的(b)和(c))。
8、因此，需要一种方案，其可以在所述基板装置的制造过程中，在施加高温高压的烧结工艺等中，通过抑制由用于形成所述发热体的导线的金属材质与形成所述主体部的陶瓷之间的热膨胀系数之差而引起的热应力及由施加的高压引起的压缩应力的产生，来防止主体部的微细裂纹(crack)，并且可有效防止基板加热装置的耐久性的劣化及使用寿命的缩短。然而，尚未提出适当的替代方案。
9、现有技术文献
10、专利文献
11、专利文献1：日本公开专利公报特开2001-102157号(2001年4月13日公告)
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而提出的，目的在于提供一种基板加热装置，其在基板加热装置的制造过程中，在施加高温、高压的烧结工艺等中，可以有效地抑制由于连接至发热体连接器的导线的金属材质与主体部的陶瓷材质之间的热膨胀系数之差而引起的热应力及由施加的高压引起的压缩应力导致的微细裂纹(crack)的产生。
3、另外，本专利技术的目的在于，提供一种基板加热装置，其还可以有效防止根据所述基板加热装置的使用而导致由微细裂纹(crack)的扩散所引起的所述基板加热装置的耐久性能劣化及使用寿命缩短。
4、用于解决问题的手段
5、根据用于解决上述问题的本专利技术的一个方面的基板加热装置，其特征在于，包括：主体部，其包括用于放置基板的基板放置部，以支撑所述基板；第一发热体，其位于所述主体部的内部区域；第二发热体，其位于围绕所述内部区域的外部区域；电力传输导线，其横穿所述主体部的内部区域，并将电流传输至所述第二发热体；发热体连接器，其用于向所述电力传输导线供应电流；以及连接器连接部，其从所述发热体连接器连接至所述电力传输导线，所述连接器连接部由含有钼和钨的钼钨合金制成。
6、其中，所述基板加热装置还可以包括：连接部件，其电连接所述电力传输导线和所述连接器连接部。
7、此时，所述连接部件可以由含有钼和钨的钼钨合金制成。
8、此外，所述连接器连接部可以由直径小于所述电力传输导线的直径的导线制成。
9、此时，连接部件可以呈圆柱形，以使所述连接器连接部和所述电力传输导线插入并固定的各开口以面向彼此的方式设置于所述圆柱形的两侧末端。
10、此外，所述钼钨合金可以以40～80％的钼及20～60％的钨的比例构成。
11、此外，所述主体部可以由氮化铝(aln)制成。
12、此外，所述发热体连接器或所述电力传输导线中的一个以上可以由钼金属制成。
13、专利技术效果
14、因此，在根据本专利技术一实施例的基板加热装置中，在基板加热装置的制造过程中，在施加高温、高压的烧结工艺等中，可以有效地抑制由于连接至发热体连接器的导线的金属材质与主体部的陶瓷材质之间的热膨胀系数之差而引起的热应力及由施加的高压引起的压缩应力导致的微细裂纹(crack)的产生。
15、此外，在根据本专利技术一实施例的基板加热装置中，还可以有效防止根据所述基板加热装置的使用而导致由微细裂纹(crack)的扩散所引起的所述基板加热装置的耐久性劣化及使用寿命缩短。
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1.一种基板加热装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于，
6.根据权利要求1或3所述的基板加热装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板加热装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：朴孝成，
申请(专利权)人：美科陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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