陶瓷加热器制造技术

本发明专利技术涉及一种陶瓷加热器，本发明专利技术的陶瓷加热器包括：加热器板，由陶瓷材料制成，并且设置有发热体；轴，其为具有贯通孔的管形，结合到所述加热器板的下表面，并且通过所述贯通孔容纳向所述发热体供应电力的杆；以及空气袋，连续或断续地设置在接合部中，所述加热器板与所述轴通过所述接合部接触并结合，所述空气袋沿着所述接合部的接合面形成。着所述接合部的接合面形成。着所述接合部的接合面形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷加热器


[0001]本专利技术涉及一种陶瓷加热器，更具体地，涉及一种具有减少热损失的轴(shaft)接合结构的陶瓷加热器。

技术介绍

[0002]通常，半导体装置或显示装置是通过将包括电介质层和金属层的多个薄膜层依次堆叠在玻璃基板、柔性基板或半导体晶片基板上后进行图案化的方式制造的。这些薄膜层通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺或物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺依次沉积在基板上。所述CVD工艺包括低压化学气相沉积(Low Pressure CVD，LPCVD)工艺、等离子强化化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD，PECVD)工艺、有机金属化学气相沉积(Metal Organic CVD，MOCVD)工艺等。
[0003]在这些CVD装置和PVD装置中设置有加热器，用于支撑玻璃基板、柔性基板、半导体晶片基板等并施加规定的热。在形成在支撑基板上的薄膜层的蚀刻工艺(echting process)和光刻胶(photoresiste)的塑性工艺等中，所述加热器也用于加热基板。在安装在所述CVD装置和PVD装置中的加热器中，根据精确的温度控制、半导体元件的布线精细化和半导体晶片基板的精密热处理要求，陶瓷加热器(Ceramic Heater)被广泛使用。
[0004]如图1所示，传统的陶瓷加热器1包括结合到轴20的加热器板10，加热器板10包括设置在陶瓷材料之间的高频电极12和发热体14，轴20提供孔(hole)，以使分别连接到高频电极12和发热体14并供应电力的杆21、23通过。
[0005]然而，在图1等传统的陶瓷加热器1结构中，发热体14产生的一部分热(例如，在某些情况下为650℃以上)通过与加热器板10下表面接触的轴20被释放，从而增加加热器板10的热损失，并且降低设置在陶瓷加热器1上的基板的温度均匀度。

技术实现思路

[0006](一)要解决的技术问题
[0007]因此，本专利技术是为了解决上述问题而提出的，本专利技术的目的在于提供一种陶瓷加热器，其能够通过在加热器板和轴之间的接合部设置空气袋(Air Pocket)来减少热损失，并且通过减少半导体装备腔内的泄露、减少热应力来减少裂纹产生并减少热损失路径，从而提高热效率。
[0008](二)技术方案
[0009]首先，总结本专利技术的特征，用于实现上述目的的根据本专利技术的陶瓷加热器包括：加热器板，由陶瓷材料制成，并且设置有发热体；轴，其为具有贯通孔的管形，结合到所述加热器板的下表面，并且通过所述贯通孔容纳向所述发热体供应电力的杆；以及空气袋，连续或断续地设置在接合部中，所述加热器板与所述轴通过所述接合部接触并结合，所述空气袋沿着所述接合部的接合面形成。
[0010]所述陶瓷加热器进一步包括：接合物质，沿着所述接合部的所述接合面形成在所
述加热器板和所述轴之间，所述空气袋包括沿着所述接合物质形成的凹槽。
[0011]根据一个实施例，所述接合物质可以包含90～97wt％的氮化铝和3～10wt％的氧化钇。
[0012]根据另一个实施例，所述接合物质可以包含45～75wt％的氮化铝、10～20wt％的氧化铝、10～20wt％的氧化钙和5～15wt％的氧化钇。
[0013]所述空气袋可以包括沿着所述接合部的接合面形成在所述加热器板中的凹槽，所述凹槽的截面为T形状，并且形成为在所述加热器板侧的宽度比所述接合面侧更宽。
[0014]所述空气袋可以沿着所述发热体的设置路径的位置形成在与所述设置路径对应的位置。其中，所述陶瓷加热器进一步包括接合物质，沿着所述接合部的所述接合面形成在所述加热器板和所述轴之间,所述空气袋可以沿着所述接合物质形成。此外，所述空气袋可以沿着所述接合部的接合面形成在所述加热器板中。
[0015]所述加热器板可以进一步包括与所述发热体隔开设置的高频电极，所述高频电极可以通过设置在所述轴的所述贯通孔内的其他杆接收电力。
[0016](三)有益效果
[0017]根据本专利技术的陶瓷加热器，通过将空气袋置于加热器板和轴之间的接合部，从而可以减少热损失。所述空气袋可以通过减少半导体装备腔内的泄露(leak)、减少热应力来减少裂纹产生并减少热损失路径，从而提高热效率。
附图说明
[0018]为了帮助理解本专利技术，作为详细说明的一部分而被包括的附图，提供本专利技术的实施例，并同本专利技术的详细说明一起说明本专利技术的技术思想。
[0019]图1是传统的陶瓷加热器的示意性剖视图。
[0020]图2是根据本专利技术的一个实施例的陶瓷加热器的示意性剖视图。
[0021]图3是图2的接合部的放大图。
[0022]图4是用于说明图2的形成在接合部的接合物质中的空气袋的图。
[0023]图5a是根据本专利技术的另一个实施例的陶瓷加热器的示意性剖视图和接合部的放大图。
[0024]图5b是图5a的接合部的空气袋的另一个实施例。
[0025]图6是用于说明形成在图5a和图5b的加热器板中的空气袋的加热器板的底面图。
[0026]图7是用于说明在本专利技术的实施例的陶瓷加热器中形成在发热体的设置路径中的空气袋的图。
具体实施方式
[0027]以下，参照附图详细说明本专利技术。此时，在每个附图中，尽可能以相同的附图标记表示相同的组件。另外，省略对已知的功能和/或配置的详细描述。以下公开的内容将重点说明用于理解根据各种实施例的操作所需的部分，并省略对可能混淆说明要旨的组件的说明。另外，附图的部分组件可以被放大、省略或示意性地示出。每个组件的尺寸并不完全反映实际尺寸，因此，本说明书中记载的内容不受绘制在每个附图中的组件的相对大小或间隔的限制。
[0028]在说明本专利技术的实施例时，如果判断与本专利技术相关的已知技术的具体说明可能不必要地混淆本专利技术的要点，则省略其详细说明。并且，将在后面描述的术语是根据本专利技术中的功能定义的术语，可能会根据用户、操作者的意图或惯例等而不同。因此，其定义应该以本说明书的全部内容为基础。在详细说明中使用的术语仅用于描述本专利技术的实施例，决不能是有限的。除非使用明显不同，单数形式的表述包括复数形式的含义。在本说明中，“包括”或“具有”等表述是指某些特征、数字、步骤、操作、组件、其部分或其组合，不应解释为排除除上述描述之外的一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、组件、其部分或其组合的存在或可能性。
[0029]此外，第一、第二等术语可以用于描述各种组件，但所述组件并不限于所述术语，所述术语仅用于将一个组件与其他组件区分开来。
[0030]图2是根据本专利技术的一个实施例的陶瓷加热器100的示意性剖视图。
[0031]参照图2，根据本专利技术的一个实施例的陶瓷加热器100包括加热器板110和轴120。
[0032]根据本专利技术的一个实施例的陶瓷加热器100是一种半导体装置，其支撑半导体晶片、玻璃基板、柔性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷加热器，包括：加热器板，由陶瓷材料制成，并且设置有发热体；轴，其为具有贯通孔的管形，结合到所述加热器板的下表面，并且通过所述贯通孔容纳向所述发热体供应电力的杆；以及空气袋，连续或断续地设置在接合部中，所述加热器板与所述轴通过所述接合部接触并结合，所述空气袋沿着所述接合部的接合面形成。2.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，进一步包括：接合物质，沿着所述接合部的所述接合面形成在所述加热器板和所述轴之间，所述空气袋包括沿着所述接合物质形成的凹槽。3.根据权利要求2所述的陶瓷加热器，其中，所述接合物质包含90～97wt％的氮化铝和3～10wt％的氧化钇。4.根据权利要求2所述的陶瓷加热器，其中，所述接合物质包含45～75wt％的氮化铝、10～20wt％的氧化铝、10～20wt％的氧化钙和5～15wt％的氧化钇。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈正哲，
申请(专利权)人：美科陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：