键合头以及包括该键合头的键合装置制造方法及图纸

提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。由此，能够有效地去除残留在抗静电块的表面上的电子。有效地去除残留在抗静电块的表面上的电子。有效地去除残留在抗静电块的表面上的电子。

【技术实现步骤摘要】
键合头以及包括该键合头的键合装置


[0001]本专利技术涉及一种键合头以及包括该键合头的键合装置。更详细而言，本专利技术涉及一种拾取芯片并将所述芯片键合在基板上的键合头和包括所述键合头的键合装置。

技术介绍

[0002]近来，为了响应对包括半导体封装在内的电子元件小型化的需求，开发了一种通过层叠多个电子元件来形成层叠芯片封装的技术。
[0003]所述层叠芯片封装是一种将芯片层叠在基板上的半导体封装，是通过在所述芯片与基板接触的状态下施加热和压力而形成的。所述层叠芯片封装由键合装置形成。
[0004]所述键合装置包括：卡盘结构物，支撑所述基板；以及键合头，通过将所述芯片层叠在基板上并对其进行热压。具体地，所述键合头通过在所述芯片与所述基板紧贴的状态下加热所述芯片，以融化凸块，之后再次冷却，从而将所述芯片键合在所述基板上。此时，形成在所述基板上的焊盘和所述芯片的凸块可以相互电连接。由此，可以执行键合工序。
[0005]另一方面，在所述键合工序之前执行的多个工序的执行期间，所述键合头的表面可能会残留很多电子。
[0006]尤其，当键合头接近芯片时，由于残留在所述表面上的电子，可能在邻近所述键合头和芯片之间界面的位置处产生电弧。此时产生的高电压导致芯片损坏，并产生芯片不良。
[0007]此外，当键合头连续拾取并移送芯片时，电子可能会非正常填充在与芯片接触的键合头的表面上，这可能成为出现电弧现象的原因。因此，有必要直接移送芯片或从所接触的键合头的表面去除电子。

技术实现思路
/>[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本专利技术提供一种能够有效消除残留在表面上的电子的键合头。
[0010]本专利技术提供一种包括能够有效消除残留在表面上的电子的键合头的键合装置。
[0011]用于解决问题的手段
[0012]根据本专利技术的实施例的键合头包括：底座块，加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。
[0013]在本专利技术的一实施例中，所述抗静电块可以具有10ohm/sq以下的薄层电阻。
[0014]在本专利技术的一实施例中，所述抗静电块可以包括：抗静电层，用于真空吸附所述芯片；以及种子层，介于所述加热块和所述抗静电层之间。
[0015]其中，所述加热块包含氮化铝，所述种子层包含氮化钛，所述抗静电层包含贵金属中的至少一种，所述贵金属包含金、铂和银。
[0016]另一方面，所述抗静电层可以通过使用所述种子层的真空溅射工序形成。
[0017]此外，所述种子层的厚度可以在100至范围内，所述抗静电层的厚度可以在
1000至范围内。另一方面，所述抗静电层可以具有1μm以下的平面度和1μm以下的表面粗糙度。
[0018]其中，所述抗静电层可以配置为覆盖所述加热块的上表面和侧壁。
[0019]另一方面，所述抗静电层可以包括：通孔，上下贯通，并提供真空流路；以及真空槽，与所述通孔连通，并形成于所述抗静电层的上表面。
[0020]在本专利技术的一实施例中，所述加热块包括：加热板，内部配置有通过从外部施加的电源产生热的发热体；以及冷却片，设置在所述加热板的下部，用于冷却所述加热板。
[0021]根据本专利技术的实施例的键合装置包括：卡盘结构物，用于支撑晶圆，以及键合头，可移动地配置在所述卡盘结构物的上方，并将芯片键合在所述晶圆；所述键合头包括：底座块，加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热，以及抗静电块，包括抗静电层，以能够吸附模具的方式配置在所述加热块的上表面，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。
[0022]在本专利技术的一实施例中，所述抗静电块包括：抗静电层，用于真空吸附所述芯片；以及种子层，介于所述加热块和所述抗静电层之间。其中，所述加热块包含氮化铝，所述种子层包含氮化钛，所述抗静电层包含贵金属中的至少一种，所述贵金属包含金、铂和银，所述抗静电层可以通过使用所述种子层的真空溅射工序形成。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术的实施例的键合头包括抗静电块，能够有效去除残留在其表面上的电子，从而可以有效抑制在键合工序中可能出现的电弧现象。因此，可以抑制在键合工序中对芯片的电击。
[0025]另一方面，加热块包括形成在加热板的下表面的冷却片，使所述冷却片通过放热空间与外部冷却空气接触，从而在较短的时间内将所述加热块冷却至特定温度。
附图说明
[0026]图1是用于描述本专利技术的一实施例的键合头的剖视图。
[0027]图2A是用于描述图1所示的加热块和抗静电块的剖视图。
[0028]图2B是用于描述图1所示的加热块和抗静电块的紧固结构的剖视图。
[0029]图3是用于描述在图2A所示的加热块的剖视图。
[0030]图4是用于描述图2A所示的抗静电块的俯视图。
[0031]图5是用于描述本专利技术的一实施例的键合装置的简要结构图。
[0032]图6是图5所示的卡盘结构物的俯视图。
[0033]图7是用于描述图5所示的夹盘的俯视图。
[0034]图8是用于描述图5所示的夹盘的仰视图。
[0035]附图标记说明
[0036]100:键合头110:底座块
[0037]120:加热块130:抗静电块
[0038]131:种子层135:抗静电层
[0039]140:冷却线200:卡盘结构物
[0040]210:加热板220:夹盘
[0041]230:导向环240:夹具
[0042]300:键合装置10:芯片
具体实施方式
[0043]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术实施例的键合头以及具备该键合头的键合装置。由于本专利技术可以有多种变化，可以有多种形式，因此将具体实施例在附图中示出，并在本文中详细描述。然而，这并不旨在将本专利技术限制为特定公开形式，应理解为包括落入本专利技术的思想和范围内的所有修改、等同物和替代物。在描述每个附图时，相同的附图标记用于相同的元件。在附图中，为了本专利技术的清楚起见，结构物的尺寸比实际放大示出。
[0044]可以使用诸如第一、第二等术语来描述各种元件，但所述元件不应受所述术语的限制。所述术语仅用于将一个元件区别于其他元件的目的。例如，在不超出本专利技术的权利要求范围的同时第一元件可以被命名为第二元件，类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
[0045]本申请中所使用的术语仅用于说明特定的实施例，而不旨在限制本专利技术。除非上下文另有明确规定，否则单个形式包括多个形式。在本申请中，“包括”或者“具有”等术语应理解为指定说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、元件、部件或者它们的组合的存在，而不预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、动作、元件、部件或者它们的组合的存在或者附加可能性。
[0046]除非另有定义，包括技术性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合头，其特征在于，包括：底座块，加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热，以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子；所述抗静电块包括：抗静电层，用于真空吸附所述芯片，以及种子层，介于所述加热块和所述抗静电层之间。2.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述抗静电块具有10ohm/sq以下的薄层电阻。3.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述加热块包含氮化铝，所述种子层包含氮化钛，所述抗静电层包含贵金属中的至少一种，所述贵金属包含金、铂和银。4.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述抗静电层通过使用所述种子层的真空溅射工序形成。5.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述种子层的厚度在100至范围内，所述抗静电层的厚度在1000至范围内。6.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述抗静电层具有1μm以下的平面度和1μm以下的表面粗糙度。7.根据权利要求1所述的键合头，其特征在于，所述抗静电层配置为覆盖所述加热块的上表面和侧壁。8.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔正德，朴瑛奎，全泳坤，成知勳，
申请(专利权)人：美科陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：