【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。
技术介绍
1、太阳能电池是直接将光能转换成电能的器件。经过数十年的发展，目前晶硅太阳能电池在光伏电池市场上占据着绝对的优势，主要原因在于原材料来源广泛、高可靠性、高发电效率、低成本等优势。晶硅电池目前涵盖有钝化发射极和背面电池(perc)、隧穿氧化层钝化接触电池(topcon)和异质结电池(shj)等多种种类。其中，晶硅-非晶硅异质结太阳能电池(shj)因其对称的结构、高开路电压、低工艺温度、优良的温度特性等优势，已逐步成为晶硅电池主流技术之一，受到产业界和学术界的高度关注，目前其认证的大面积电池器件效率已经达到26.3％。另外topcon电池的效率也达到了25.7％，同样topcon电池也具备成本低的优势。shj和topcon电池仍然存在一些问题，电池的入光面有栅线遮挡，降低电池对阳光的吸收，所以电池的短路电流损失较大，这也是目前几乎所有硅基太阳能电池所面临的问题。因此入光面没有电极的太阳能电池的电池研究显得尤为重要，以此为出发点，背接触太阳能电池可解决这一问...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中，还具有至少一个第二绝缘开口，所述第二绝缘开口的深度，小于或等于所述第一绝缘开口的深度，且所述第二绝缘开口比所述第一绝缘开口，靠近所述阻挡层的边缘。
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极，位于所述透明导电层上，所述第一区域中所述阻挡层之外的位置；
4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中，所述第二绝缘开口均分布在所述第一绝缘开口的一侧。
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中，还具有至少一个第二绝缘开口，所述第二绝缘开口的深度，小于或等于所述第一绝缘开口的深度，且所述第二绝缘开口比所述第一绝缘开口，靠近所述阻挡层的边缘。
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极，位于所述透明导电层上，所述第一区域中所述阻挡层之外的位置；
4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中，所述第二绝缘开口均分布在所述第一绝缘开口的一侧。
5.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所有所述绝缘开口中，所述第一绝缘开口与其相邻的所述第二绝缘开口之间的距离为：1微米至1000微米。
6.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域交替分布；在所述第一区域和所述第二区域交替分布的第一方向上，所述第二绝缘开口的尺寸为：1微米至1000微米。
7.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中，相邻的所述第二绝缘开口之间的距离为：1微米至1000微米。
8.根据权利要求2至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口中：所述第二绝缘开口的个数大于1，所述第二绝缘开口，在与所述透明导电层远离所述硅基底的表面平行的表面上的正投影的形状的种类，大于或等于1。
9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二绝缘开口，在与所述透明导电层远离所述硅基底的表面平行的表面上的正投影的形状为：椭圆形或方形。
10.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所有所述第一绝缘开口均穿透所述阻挡层上的所述第二传输层，并延伸至所述阻挡层内。
11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘开口均穿透所述阻挡层上的所述第二传输层，并延伸至所述阻挡层内。
12...
【专利技术属性】
技术研发人员：周生厚，唐喜颜，孙召清，邓小玉，杨建超，侯少康，叶枫，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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