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半导体器件包括第一管芯、第二管芯、第一再分布层(RDL)结构和连接件。RDL结构设置在第一管芯和第二管芯之间,并且电连接至第一管芯和第二管芯,并且包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层。粘合促进剂层位于第二聚合物层和第一...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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半导体器件包括第一管芯、第二管芯、第一再分布层(RDL)结构和连接件。RDL结构设置在第一管芯和第二管芯之间,并且电连接至第一管芯和第二管芯,并且包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层。粘合促进剂层位于第二聚合物层和第一...