【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子器件，尤其涉及发光芯片、显示面板、发光芯片的制备方法及转移方法。
技术介绍
1、发光芯片由于其具有良好的稳定性，寿命长，以及具有低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点，故其被广泛地应用于显示器件中。而在显示器件的生产过程中，需要将发光芯片转移到显示背板上。
2、在相关技术中，正装发光芯片的两个电极外露于半导体层之上，需要将发光芯片翻转转移多次，转移成本高昂，转移良率也有所降低。
3、因此，如何提高发光芯片的转移良率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片、显示面板、发光芯片的制备方法及转移方法，旨在解决如何提高发光芯片的转移良率。
2、一种发光芯片，包括：依次层叠设置的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，其中所述第一半导体层为临近生长衬底一侧的半导体层；第一电极，设置于贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层的第一孔中，且与所述第二半导体层电性连接，以供所述第一电极在远离所述第二半导体层的一侧与背板的第一焊盘连接；第二电极，设置于贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层的第二孔中，且与所述第一半导体层电性连接，以供所述第二电极在远离所述第二半导体层的一侧与背板的第二焊盘连接。
3、上述第一电极，设置于贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层的第一孔中，且与所述第二半导体层电性连接；第二电极，设置于贯穿所述第一
4、可选地，所述第一电极和所述第二电极在远离所述衬底的一侧不突出所述绝缘层的表面，利于发光芯片转移。
5、可选地，所述第一电极和所述第二电极中任一电极采用以下任一种材料：cu、sn、ni、al。可减少贵金属的成本。
6、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括上述的发光芯片和背板上的电路板，所述第一电极和所述第二电极在远离所述第二半导体的一侧分别与所述电路板上的所述第一焊盘、所述第二焊盘电连接。
7、上述显示面板包括了发光芯片，而发光芯片中的第一电极，设置于贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层的第一孔中，且与所述第二半导体层电性连接；第二电极，设置于贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层的第二孔中，且与所述第一半导体层电性连接，可减少翻转转移次数，在转移发光芯片时可提高转移良率。
8、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片的制备方法，包括依次生长第一半导体层，量子阱层和第二半导体层；其中所述第一半导体层为临近生长衬底一侧的半导体层；贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层形成第一孔及第二孔；在所述第一孔中填充第一电极，所述第一电极与所述第二半导体层电性连接，以供所述第一电极在远离所述第二半导体层的一侧与背板的第一焊盘连接；在所述第二孔中填充第二电极，所述第二电极与所述第一半导体层电性连接；以供所述第二电极在远离所述第二半导体层的一侧与背板的第二焊盘连接。可减少翻转转移次数，在转移发光芯片时可提高转移良率。
9、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种如上述的发光芯片的转移方法，所述转移方法包括：将所述发光芯片转移至临时基板，并将所述衬底剥离；通过印章从所述发光芯片远离临时基板的一侧拾取所述发光芯片，并将所述发光芯片转移至封装基板上。发光芯片的第一电极及第二电极都在贯穿第一半导体层、量子阱层和第二半导体层的孔中，可减少翻转转移次数，在转移发光芯片时可提高转移良率。
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1.一种发光芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片的表面设有绝缘层；所述第一电极在所述第一孔的内壁与所述第二半导体层接触，和/或，所述第一电极与所述第二半导体层的顶面接触。
3.如权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述第二孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分的孔直径小于所述第二部分的孔直径；
4.如权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极在远离所述衬底的一侧不突出所述绝缘层的表面。
5.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中任一电极采用以下任一种材料：Cu、Sn、Ni、Al。
6.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括缓冲层及电流扩展层，以所述缓冲层、所述第一半导体层、所述量子阱层、所述第二半导体层及所述电流扩展层的层叠顺序从下至上依次层叠，所述第一孔及所述第二孔还贯穿所述缓冲层及所述电流扩展层。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的发光芯片
8.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，所述贯穿所述第一半导体层、所述量子阱层和所述第二半导体层形成第一孔及第二孔，包括：
10.一种如权利要求1-6任一项所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：
11.如权利要求10所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述将所述发光芯片转移至封装基板上之后还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片的表面设有绝缘层；所述第一电极在所述第一孔的内壁与所述第二半导体层接触，和/或，所述第一电极与所述第二半导体层的顶面接触。
3.如权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述第二孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分的孔直径小于所述第二部分的孔直径；
4.如权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极在远离所述衬底的一侧不突出所述绝缘层的表面。
5.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中任一电极采用以下任一种材料：cu、sn、ni、al。
6.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括缓冲层及电流扩展层，以所述缓冲层、所述第一半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，戴广超，陈德伪，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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