【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆预处理方法，还涉及一种晶圆，以及一种dsoi器件。
技术介绍
1、双层绝缘体上硅(double silicon on insulator，dsoi)是在绝缘体上硅(soi)结构的基础上增加二氧化硅层(sio2)和单晶硅层(si)而形成，其既具备了soi结构优秀的抗单粒子效应能力，又增加了利用中间硅层引出背栅端，对不同的器件施加不同的背偏电压调制的优点。
2、dsoi结构在抗辐射、抑制电路-传感器串扰以及节省芯片面积方面均较普通体硅工艺和soi工艺有较大的改进，但在芯片制造工艺流通(即在制造过程中的不同工序间流通)中经常会遇到晶圆(wafer)掉片、破片的问题，大大影响了产品的流通及成品率。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种晶圆预处理方法，以避免晶圆在制造工艺流通中发生掉片。
2、一种晶圆预处理方法，包括：获取晶圆；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述晶圆的背面形成掺n型离子的硅氧化物层；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述硅氧化物层的表面形成保护层以避免所述硅氧化物层中的杂质外溢。
3、上述晶圆预处理方法，对于因背面的材料特性而在被静电吸盘吸附时无法产生足够的静电吸附力的晶圆，通过在晶圆背面形成掺n型离子的硅氧化物层作为静电吸附辅助层，n型离子可以在静电吸盘的影响下耦合出电子，与静电吸盘的正电荷之间形成吸附力，从而将晶圆稳定吸附于静电吸盘上，避免掉片。
4、在其中一个实施例中，所述晶
5、在其中一个实施例中，所述晶圆具有dsoi结构，所述dsoi结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
6、在其中一个实施例中，所述在所述晶圆的背面形成掺n型离子的硅氧化物层的步骤包括：通过沉积工艺在所述晶圆的正面和背面均形成所述掺n型离子的硅氧化物层；所述在所述硅氧化物层的表面形成保护层的步骤包括：通过沉积工艺在所述晶圆的正面和背面均形成所述保护层；所述晶圆预处理方法还包括去除所述晶圆正面的保护层和所述晶圆正面的硅氧化物层的步骤。
7、在其中一个实施例中，所述保护层的材质为硅的氮化物。
8、在其中一个实施例中，所述掺n型离子的硅氧化物层为掺磷离子的硅氧化物层。
9、还有必要提供一种晶圆。
10、一种晶圆，包括：保护层，所述保护层的第一表面是所述晶圆的背面；硅氧化物层，位于所述保护层的与所述第一表面相对的第二表面，所述硅氧化物层中掺有n型离子；其中，所述保护层用于避免所述硅氧化物层中的杂质外溢。
11、在其中一个实施例中，所述晶圆还包括支撑层，所述支撑层的电阻率大于100欧姆·厘米；所述硅氧化物层位于所述支撑层和所述保护层之间。
12、在其中一个实施例中，所述晶圆具有dsoi结构，所述dsoi结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
13、在其中一个实施例中，所述保护层的材质为硅的氮化物。
14、在其中一个实施例中，所述掺n型离子的硅氧化物层为掺磷离子的硅氧化物层。
15、还有必要提供一种dsoi器件。
16、一种dsoi器件，包括：支撑层，所述支撑层的电阻率大于100欧姆·厘米；dsoi结构，位于所述支撑层的第一表面；硅氧化物层，位于所述支撑层的与所述第一表面相对的第二表面，所述硅氧化物层中掺有n型离子；保护层；其中，所述硅氧化物层位于所述保护层和支撑层之间，所述保护层用于避免所述硅氧化物层中的杂质外溢。
17、在其中一个实施例中，所述dsoi结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
18、在其中一个实施例中，所述保护层的材质为硅的氮化物。
19、在其中一个实施例中，所述掺n型离子的硅氧化物层为掺磷离子的硅氧化物层。
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1.一种晶圆预处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述晶圆包括支撑层，所述支撑层的电阻率大于100欧姆·厘米；所述晶圆的背面为所述支撑层的第一表面，所述在所述晶圆的背面形成掺N型离子的硅氧化物层的步骤包括：在所述支撑层的第一表面形成所述硅氧化物层。
3.根据权利要求2所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述晶圆具有DSOI结构，所述DSOI结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
4.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述在所述晶圆的背面形成掺N型离子的硅氧化物层的步骤包括：通过沉积工艺在所述晶圆的正面和背面均形成所述掺N型离子的硅氧化物层；
5.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述保护层的材质为硅的氮化物。
6.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述掺N型离子的硅氧化物层为掺磷离子的硅氧化物层。
7.一种晶圆，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于，还
9.根据权利要求7所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆具有DSOI结构，所述DSOI结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
10.一种DSOI器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆预处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述晶圆包括支撑层，所述支撑层的电阻率大于100欧姆·厘米；所述晶圆的背面为所述支撑层的第一表面，所述在所述晶圆的背面形成掺n型离子的硅氧化物层的步骤包括：在所述支撑层的第一表面形成所述硅氧化物层。
3.根据权利要求2所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述晶圆具有dsoi结构，所述dsoi结构包括在所述支撑层上顺序叠设的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层、第二半导体层。
4.根据权利要求1所述的晶圆预处理方法，其特征在于，所述在所述晶圆的背面形成掺n型离子的硅氧化物层的步骤包括：通过沉积工...
【专利技术属性】
技术研发人员：周耀辉，张松，刘群，王德进，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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