存储存储器重映射信息的非易失性存储器制造技术

一种系统，包括：控制器，将表示关于存储装置的重映射信息的数字信号存储到内容可寻址存储器ＣＡＭ，其中所述控制器适于：如果所述ＣＡＭ中存储的所述重映射信息被更新，则将所述ＣＡＭ中存储的所述重映射信息的至少一部分存储到非易失性可离散寻址的存储器中。

【技术实现步骤摘要】

所公开的本专利技术主题涉及对存储装置的重映射。
技术介绍
存储装置用于多种电子设备，例如计算机、蜂窝电话、PDA、数据记录器和导航设备 (这里只给出一些示例)。在这种电子设备中，可以采用多种类型的非易失性存储装置，例 如NAND或NOR闪存、SRAM、DRAM和相变存储器(这里只给出一些示例)。一般而言，可以使 用写入或编程处理在这种存储装置中存储信息，并可以使用读取处理来获取存储的信息。这种非易失性存储装置可以包括存储单元，存储单元随时间慢慢劣化，导致在对 这种存储单元进行存取时可能发生读取和/或写入错误的可能性增大。错误也可能由制造 缺陷和/或边际存储装置构造(这里只给出一些示例)造成。虽然随后可以在存储装置内 校正此类错误，但是随着例如错误数目的增长，这种错误校正可能变得很困难或不可能了。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，例如，本专利技术提供了一种系统，包括控制器，将表示关于 存储装置的重映射信息的数字信号存储到内容可寻址存储器CAM，其中所述控制器适于 如果所述CAM中存储的所述重映射信息被更新，则将所述CAM中存储的所述重映射信息的 至少一部分存储到非易失性可离散寻址的存储器中。附图说明参照以下附图，描述非限制性和非穷尽实施例，在附图中，相同参考数字指代相同 部分，除非有特别说明。图1是根据实施例的存储器配置的示意图；图2是根据实施例的存储器读取处理的流程图；图3是根据另一实施例的存储器读取处理的流程图；图4是根据实施例的计算系统和存储装置的示意框图；图5是根据实施例的存储器读取处理的流程图；图6是根据另一实施例的存储器读取处理的流程图；图7是根据实施例的矢量重映射表的示意图；图8是根据实施例的存储系统的示意框图；图9是根据实施例的计算系统和存储装置的示意框图。具体实施例方式在本说明书中，对“一个实施例”或“实施例”的引述意味着，结合该实施例描述的 具体特征、结构或特点包括在所要求保护的主题的至少一个实施例中。因此，在本说明书中 多处出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定全部是指同一实施例。此外，4具体特征、结构或特点可以结合在一个或更多实施例中。在实施例中，关于存储装置的重映射信息可以保持在非易失性可离散寻址的存储 器中。这种重映射信息可以包括重映射矢量，重映射矢量提供重映射地址，以作为例如针对 存储装置的读取/写入请求的一部分，替代由处理器提供的地址。这里，可离散寻址的存储 器可以包括存储单元，例如，这种存储单元不需要每次都成块和/或成扇区地写入，而是可 以单独地被寻址或者以相对较小的组来成组地被寻址。例如，向NOR闪存类型的存储器写 入数据可以包括向存储单元的较大块写入，即使要写入的数据只需要一个或两个存储单元 大小的存储空间。在另一示例中，向相变存储器(PCM)写入诸如重映射信息等数据，这可以 包括只向与要写入的数据的存储大小基本上匹配的多个存储单元写入。在这种非易失性可离散寻址的存储器中保持重映射信息，这可以提供对要重映射 的存储器的特定区域的粒度更细的控制。例如，这种非易失性可离散寻址的存储器可以允 许离散寻址，以在存储空间的相对较小的部分中存储重映射矢量。相反，不可离散寻址的存 储器可以使用块和/或扇区寻址，从而仅对单个重映射矢量的存储可能占用存储装置的相 对较大部分。此外，使用块和/或扇区寻址的存储器可以包括擦除处理，以为后续的写入处 理准备存储块和/或扇区，这造成了相比于可离散寻址的存储器，需要更大量的写入时间。 因此，在非易失性可离散寻址的存储器中存储和保持重映射信息可以提供提高存储装置的 存储空间利用率以及减少写入处理所需的时间的途径。在一种实施方式中，在非易失性可 离散寻址的存储器中保持重映射信息可以允许使用这种重映射信息所相关的易失性存储 装置，这是因为这种非易失性存储器即使在下电(power down)期间也可以存储重映射信 息。因此，在非易失性可离散寻址的存储器中存储和保持重映射信息可以允许以更大的灵 活性来选择存储器类型，例如NAND或NOR闪存、SRAM、DRAM和PCM(这里只给出一些示例)。在一种实施方式中，重映射信息所相关的存储装置可以在物理上包括非易失性可 离散寻址的存储器，以便单个晶元(die)或集成电路芯片包括存储装置和非易失性可离散 寻址的存储器两者。但是，在这种实施方式中，存储装置可以与非易失性可离散寻址的存储 器不同，以便可以通过处理器和/或存储器控制器分离地访问该存储装置和非易失性可离 散寻址的存储器。例如，用于存储关于存储装置的重映射信息的非易失性可离散寻址的存 储器可以驻留在存储装置上，但是依然与这种存储装置不同。继续参照该示例，这种存储装 置可以包括具有多个存储器晶元的存储模块可以经由单个处理器和/或存储器控制器访 问存储器晶元，可以通过分离的单个处理器和/或存储器控制器访问非易失性可离散寻址 的存储器。当然，在非易失性可离散寻址的存储器上保持重映射信息的这些细节和优点仅 仅是示例，本专利技术要求保护的主题不限于此。例如，相比于在存储装置内保持重映射信息，在非易失性可离散寻址的存储器上 存储和保持关于存储装置的重映射信息也可以减少等待时间以及/或者提高对可用存储 器容量的利用。在一种实施方式中，可以在运行中(on the fly)生成重映射信息，例如在 由处理器发起的读取/写入处理等运行时间处理期间，其中对从存储装置读取的数据进行 错误校验，如下所述。在另一实施方式中，可以由系统执行初始化处理，以包括对存储装置 的易出错部分进行扫描。再次，在非易失性可离散寻址的存储器上保持重映射信息的这些 细节和优点仅仅是示例，本专利技术要求保护的主题不限于此。在实施例中，存储装置可以包括存储单元，存储单元随时间慢慢劣化，导致在对这种存储装置进行例如读取时可能发生一个或多个错误的可能性增大。存储装置也可以包括 由其制造导致的缺陷和/或边际功能存储单元。例如，可以使用纠错码(ECC)或其他此类 技术，在计算系统内的若干区域内纠正这种错误。从系统角度来看，可以确定是否要继续使 用这种易出错的单元。如下要详细说明的，这种确定可以至少部分地基于此类错误的数目 与错误阈值的比较，其中错误阈值可以在例如存储装置的设计阶段定义。在一种实施方式 中，可以在特定存储单元展示出过量错误之前，中断对这些单元的使用。换言之，如果易出 错的存储单元产生的错误数目接近错误阈值，则可以中断对这种存储单元的使用。例如，为 了确定可以中断对存储单元的使用，不需要达到该阈值。因此，观察错误的数目接近错误阈 值，这可以是预测特定的存储单元可能很快产生太多错误的途径，从而可以例如在易出错 的存储单元实际上开始临界地发生故障之前，停止对这些易出错存储单元的使用。如果要 中断对特定的存储单元的使用，则可以按照保持存储装置总容量的方式来选择替代的存储 单元。因此，在一个实施例中，保持存储装置的尺寸容量的处理包括将易出错的存储位 置重映射到正常工作的存储位置，而不损失总的系统存储空间(例如，存储装置容量)。这 种重映射可以至少部分地基于与因从易出错的存储位置进行读取而发生错误的量和/或 频率有关的信息。这里，存储位置是指例如可以使用标识存储位置和/或部分的一个或多 个地址，经由读取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，包括：控制器，将表示关于存储装置的重映射信息的数字信号存储到内容可寻址存储器ＣＡＭ，其中所述控制器适于：如果所述ＣＡＭ中存储的所述重映射信息被更新，则将所述ＣＡＭ中存储的所述重映射信息的至少一部分存储到非易失性可离散寻址的存储器中。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔吉拉特比林，斯蒂芬鲍尔斯，马克林万德，塞缪尔戴维波斯特，
申请(专利权)人：恒忆有限责任公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]