在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法技术

本发明专利技术提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明专利技术的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的ＳＯＩ材料的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体 材料制备方法。
技术介绍
随着航天技术的飞速发展，应用在辐射环境下的电子学系统越来越多，由于辐射 能够造成电子元器件和集成电路性能的退化和改变，从而影响由此组成的电子学系统的可 靠性、缩短系统的寿命，严重时甚至会导致任务的失败。对于在轨运行的航天器来讲，辐射 将会造成短时功能失效和缩短在轨运行寿命。SOI (绝缘体上的硅SiliCon-On-Insulator 或绝缘体上的半导体Aemiconductor-On-Insulator)技术正是为了满足航空航天、导弹 和卫星电子系统等空间及军事电子领域的需求而发展起来的一种技术。四十多年来，该技 术的发展一直以抗辐射加固的军事和空间应用为背景，其目标是提高战略武器的突防和延 长卫星在轨运行寿命。SOI材料由于绝缘埋层的存在，减小了器件的寄生电容，提高了器件的速度，并且 从根本上消除体硅CMOS技术的闭锁效应，单粒子翻转截面较体硅CMOS技术小二个数量级， 抗瞬时剂量率的能力提高二个数量级。但是，另一方面由于其绝缘埋层的存在使得其抗总剂量辐照性能受到限制，这是 因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，王湘，张苗，王曦，林成鲁，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]