半导体纳米结构和制造方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明专利技术半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪刚，刘新宇，吴德馨，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：