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本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑...该专利属于上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。