【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造工艺,特别是一种校准洗边机台的晶圆片。
技术介绍
在集成电路制造工艺中要进行多次光刻步骤,光刻质量的好坏直接影响产品的合 格率。一般的光刻工艺要经历晶圆片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后 烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。在实际操作时,显影工艺中要进行边缘光刻胶的去除 (又称去除边圈)。图1示出了涂布光刻胶的步骤示意图,在旋涂光刻胶的过程中,机械手 将晶圆片101固定在晶圆片轨道上旋转涂胶位置的真空托盘102上,真空托盘102带动晶 圆片101高速旋转,使滴落在晶圆片101表面的光刻胶103在晶圆片表面均勻铺开。当晶 圆片101旋转到一定程度时,由于离心力的作用表面的光刻胶103向晶圆片101边缘流动 并流到背面。使晶圆片101边缘和背面隆起从而形成边圈。边圈是必须去除的,否则当干 燥时,光刻胶剥落并产生颗粒。这些颗粒可能落在电路有源区、晶圆片传送系统和工艺设备 里面,导致晶圆片上缺陷密度增加,设置在晶圆片背面的光刻胶可能会因为它粘附在晶圆 片托盘上而导致故障。现有技术通常利用光刻胶涂布显影机台内的晶片边缘曝光单元(WEE ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:田晓丹,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:实用新型
国别省市:31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。