半导体背面用切割带集成膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明专利技术提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于３０重量％；所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量３０重量％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜。将 倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度等 的目的。此外，本专利技术涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和安装 倒装芯片的半导体器件。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件 及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将芯片形工件例如半导体芯片安装(倒 装芯片接合)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片接合中，将半导体芯片 以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件 等中，可以存在半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，例如，专利文献1至10)。专利文献1 JP-A--2008--166451专利文献2 JP-A--2008- 06386专利文献3 JP-A--2007--261035专利文献4 JP-A--2007--250970专利文献5 JP-A--2007--158026专利文献6 JP-A--2004--221169专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，其中所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于３０重量％，和其中所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量的３０重量％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三隅贞仁，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP