【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/866,712号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月18日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体元件及一种半导体元件的制备方法，特别是关于一种在两个电极之间具有介电层的埋入式栅极结构。
技术介绍
1、半导体元件的埋入式栅极结构包括栅极介电层以及在沟槽中的栅极电极。栅极介电层覆盖沟槽的表面，并且栅极电极部分地填充栅极介电层上的沟槽。埋入式栅极结构可以与半导体元件的主动区中的杂质区或接面区相邻(或同一层面)。
2、在栅极电极与杂质区重叠处，栅极诱导漏极漏电流(gidl)可能增加。gidl会造成储存的电荷放电，因此使半导体元件的操作可靠性恶化。此外，半导体元件的埋入式栅极结构的一部分可以设置于半导体元件的隔离区域中，这部分被称为传输栅极。传输栅极可能会加剧gidl的发生。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该下栅极电极及该上栅极电极经配置以接收不同的电压。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下栅极电极一电压大于该上栅极电极一电压。
4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下栅极电极与该上栅极电极之间一电压差大于0.3伏(V)。
5.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一介电层直接接触该下栅极电极及该上栅极电极。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构设置于该基底一主动区中。
8.如...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该下栅极电极及该上栅极电极经配置以接收不同的电压。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下栅极电极一电压大于该上栅极电极一电压。
4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下栅极电极与该上栅极电极之间一电压差大于0.3伏(v)。
5.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一介电层直接接触该下栅极电极及该上栅极电极。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构设置于该基底一主动区中。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构设置在该基底一隔离区中。
9.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
10.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
11.一种半导体元件，包括：
12.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡镇宇，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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