【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构以及电子设备。
技术介绍
1、对于使用浮置栅极来存储电荷的闪存存储器来讲，浮置栅极上面的有效电压至关重要。控制栅极的电压传递到浮置栅极上面的分压越大，则编程、擦除、读取操作效率越高。浮置栅极电压占控制栅极电压的比例就是耦合系数，这个系数越大操作效率越好。
2、然而，传统的闪存存储器制作方法中，增加耦合系数非常困难。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的增加耦合系数非常困难的问题提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构以及电子设备。
2、一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
3、提供衬底，且于所述衬底内形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述衬底分隔成多个有源区；
4、于所述有源区上方形成初始浮置栅极；
5、于所述初始浮置栅极的侧壁顶部形成牺牲侧墙；
6、对所述牺牲侧墙下方的所述初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，以形成侧壁凹陷的浮置栅极；
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【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述有源区上方形成初始浮置栅极，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述隧道介质层上形成填充所述第二沟槽的所述初始浮置栅极，包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述初始浮置栅极的侧壁顶部形成牺牲侧墙，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述牺牲侧墙下方的所述初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，以形成侧壁凹陷的浮置...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述有源区上方形成初始浮置栅极，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述隧道介质层上形成填充所述第二沟槽的所述初始浮置栅极，包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述初始浮置栅极的侧壁顶部形成牺牲侧墙，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述牺牲侧墙下方的所述初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，以形成侧壁凹陷的浮置栅极之前，还包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于被暴露的所述初始浮置栅极侧壁形成所述牺牲侧墙，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述牺牲侧墙下方的所述初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，以形成侧壁凹陷的浮置栅极包括：
8.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，且于所述衬底内形成第一沟槽，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉科，尹晓明，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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