【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于存储，具体涉及一种晶体管及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，dram存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，dram存储器的应用日益广泛。
2、存储器具有较高的集成度是重要的发展方向，以满足消费者对优良的性能以及低廉的价格的需求。对于存储器，由于它们的集成度会是决定产品价格的重要因素，因此会特别期望提高集成度。对于二维或平面存储装置，由于它们的集成度主要由晶体管占据的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术的水平的影响很大。
3、相关技术中动态随机存储器(dram)微缩接近物理极限,传统金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)由于短沟道效应不再适用于先进的动态随机存储器。具有优秀栅控能力的垂直晶体管将取代传统金氧半场效晶体管应用于下一代动态...
【技术保护点】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述金属硅化物包括硅化钛、硅化钽、硅化钴、硅化镍中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述位线包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第二部分和第一部分，所述第一部分与所述第一接触端电连接，所述第一部分包括金属硅化物，所述第二部分与所述衬底连接。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一接触端在所述衬底的正投影位于所述位线在所述衬底的正投影中，所述第一接触端的侧壁与所述位线的侧壁形成阶梯状。
5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述金属硅化物包括硅化钛、硅化钽、硅化钴、硅化镍中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述位线包括沿着远离所述衬底方向依次层叠设置的第二部分和第一部分，所述第一部分与所述第一接触端电连接，所述第一部分包括金属硅化物，所述第二部分与所述衬底连接。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一接触端在所述衬底的正投影位于所述位线在所述衬底的正投影中，所述第一接触端的侧壁与所述位线的侧壁形成阶梯状。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛淑娟，王桂磊，赵超，项金娟，王祥升，桂文华，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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