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一种晶体管及其制造方法、电子设备，该晶体管包括：设置在衬底上的有源柱，所述有源柱包括沿着远离所述衬底方向依次设置的第一接触端、沟道区以及第二接触端，所述第一接触端的材料包括金属硅化物；设置在所述衬底与所述第一接触端之间的位线，所述位线与所述...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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