【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路(integrated circuit，ic)的，并且更具体地，涉及一种形成三维(three-dimensional，3d)nand存储器件的方法和一种3d nand存储器件。
技术介绍
1、nand存储器件是一种非易失性类型的存储器，它不需要电力来保持所存储的数据。消费电子、云计算和大数据不断增长的需求带来了对更大容量和更好性能的nand存储器的持续需求。随着传统的二维(two-dimensional，2d)nand存储器件接近其物理极限，三维(3d)nand存储器件现在发挥着重要作用。3d nand存储器件在单个芯片中使用多个堆层堆叠体，以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更好的成本效益。
2、3d nand存储器件包括具有掺杂区的衬底、层堆叠体、存储单元、半导体层、接触结构和栅极线缝隙结构。栅极线缝隙结构穿过层堆叠体形成以将存储单元分隔成块。在形成栅极线缝隙的工艺中，残留金属可能保留在栅极线缝隙结构的侧壁上，在相邻存储单元之间引起漏电流。本公开改进了形成栅极线缝隙的工艺以消除漏电流。
【技术保护点】
1.一种形成三维(3D)NAND存储器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，穿过所述氧化物层和所述导电材料层的所述多个交替层形成所述栅极线缝隙包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求3所述的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述离子注入工艺以至少对所述导电材料层的在所述栅极线缝隙的所述侧壁的所述部分和/或所述底部上...
【技术特征摘要】
1.一种形成三维(3d)nand存储器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，穿过所述氧化物层和所述导电材料层的所述多个交替层形成所述栅极线缝隙包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求3所述的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述离子注入工艺以至少对所述导电材料层的在所述栅极线缝隙的所述侧壁的所述部分和/或所述底部上的所述部分进行掺杂包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
11.一种三维(3d)nand存储器件，包括：
12.根据权利要求11所述的3d nand...
【专利技术属性】
技术研发人员：严龙翔，徐伟，许波，王发展，薛磊，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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