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一种形成三维(3D)NAND存储器件的方法，包括：穿过氧化物层和导电材料层的多个交替层形成栅极线缝隙，其中，导电材料层还形成在栅极线缝隙的侧壁和底部上；执行离子注入工艺以至少对导电材料层的在栅极线缝隙的侧壁的部分和/或底部上的部分进行掺杂；...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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