【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体，更具体而言涉及用于形成三维(3d)存储器器件的方法。
技术介绍
1、通过改善工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术已经变得具有挑战性且成本高昂。这样一来，平面存储器单元的存储密度接近上限。三维(3d)存储器架构能够解决平面存储器单元中的密度限制。
技术实现思路
1、本公开中描述了具有触点结构的三维(3d)存储器器件及其形成方法的实施例。
2、在一些实施例中，一种用于形成三维(3d)存储器器件的方法可以包括形成阶梯结构，可以包括设置交替层堆叠体以及蚀刻所述交替层堆叠体以形成多个台阶。所述方法还可以包括在所述阶梯结构上沉积牺牲层。所述牺牲层在所述多个台阶上方连续延伸。所述方法还可以包括在所述牺牲层上设置绝缘层，以及形成延伸穿过所述阶梯结构的缝隙。所述缝隙暴露所述牺牲层和所述多个台阶的侧壁。所述方法还可以包括去除所述牺牲层以及在所述牺牲层的位置形成腔体。所述方法还可以...
【技术保护点】
1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过以交替方式设置第一电介质层和第二电介质层来设置所述交替层堆叠体。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个开口包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过所述多个开口氧化所述蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述蚀刻停止层包括设置金属硅化物材料或氮化硅材料。
8.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成三维(3d)存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过以交替方式设置第一电介质层和第二电介质层来设置所述交替层堆叠体。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个开口包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过所述多个开口氧化所述蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述蚀刻停止层包括设置金属硅化物材料或氮化硅材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，暴露所述多个台阶中的每个台阶的横向表面包括穿过栅极电介质层蚀刻以及暴露下方的导电材料。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
11.一种用于形成三维(3d)存储器器件的方法，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，周文犀，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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