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三维存储器器件中的控制栅极结构及其形成方法技术
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文档序号:40197834
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一种用于形成三维存储器器件的方法可以包括形成阶梯结构。设置并蚀刻交替层堆叠体以形成台阶。设置于阶梯结构上的连续层在台阶上方连续延伸。在连续层上设置绝缘层,并且形成延伸穿过阶梯结构的缝隙。缝隙暴露连续层和台阶的侧壁。去除牺牲层并在连续层的地方...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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