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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，且于衬底内形成第一沟槽，第一沟槽将衬底分隔成多个有源区；于有源区上方形成初始浮置栅极；于初始浮置栅极的侧壁顶部形成牺牲侧墙；对牺牲侧墙下方的初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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