【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及一种半导体器件以及一种包括该半导体器件的电子系统，更具体地，涉及一种包括非易失性垂直存储器件的半导体器件以及一种包括该非易失性垂直存储器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要存储数据的电子系统中，能够存储大容量数据的半导体器件一直是有利的。因此，正在对提高半导体器件的数据存储容量的方法进行研究。例如，作为提高半导体器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了一种包括垂直存储器件的半导体器件，所述垂直存储器件包括三维地布置的存储单元而不是二维地布置的存储单元。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了一种即使在包括三维地布置的存储单元的半导体器件的集成密度提高了时也可以改善期望的电属性和/或可靠性的半导体器件。
2、专利技术构思还提供了一种包括即使在包括三维地布置的存储单元的半导体器件的集成密度提高了时也可以改善期望的电属性和/或可靠性的半导体器件的电子系统。
3、根据专利技术构思的一个方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：外围电路结构，所述外围电路结...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触和所述第二通路接触包括彼此不同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极线接触的底表面与所述第二通路接触的顶表面接触，并且所述源极线接触的顶表面与所述板公共源极线的底表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二通路接触、所述源极线接触和所述板公共源极线包括彼此相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触包括第一导电阻挡膜和第一接触插塞，所述第一接触插塞具有被所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触和所述第二通路接触包括彼此不同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极线接触的底表面与所述第二通路接触的顶表面接触，并且所述源极线接触的顶表面与所述板公共源极线的底表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二通路接触、所述源极线接触和所述板公共源极线包括彼此相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触包括第一导电阻挡膜和第一接触插塞，所述第一接触插塞具有被所述第一导电阻挡膜围绕的底表面和侧壁，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触和所述贯通接触中的每一者包括金属，并且
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触连接到所述多个电路中的至少一个电路，并且
8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一通路接触和所述第二通路接触包括彼此不同的材料。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二通路接触、所述源极线接触和所述板公共源极线包括彼此相同的材料。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述横向方向上所述源极线接触的宽度大于所述第二通路接触的宽度。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二通路接...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴庆训，闵柱盛，白在馥，张东爀，千相勋，韩智勋，洪兑允，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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