加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法，其课题在于，抑制发热体的偏移，并抑制基于发热体的热变形的保持件的剪切。加热装置具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在谷部的末端，作为具有比谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在发热体的外周；保持体，该保持体配置在保持体承受部内并固定在隔热体上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
作为DRAM等的半导体装置的制造方法的一个工序，实施对硅晶片等衬底进行加 热并处理的衬底处理工序。这一工序通过衬底处理装置实施，该衬底处理装置具有收容衬 底并对其进行处理的处理室和对该处理室内进行加热的加热装置。加热装置具有围绕处理 室的外周的环状的发热体和设在发热体外周上的环状的隔热体。在发热体的上下端上，峰 部和谷部(切缺部)分别交替地相连有多个，由此，该发热体形成为蛇行状(例如参照专利 文献1)。专利文献1 日本特开2007-88325号公报 上述发热体，环状的发热体的两端贯通隔热体的侧壁而固定，并且，发热体的各谷 部分别固定在隔热体的内周侧壁上，由此，该发热体被保持在隔热体的内周侧。为了将发 热体的各谷部固定在隔热体的内周侧壁上，一直以来使用例如作为桥型的销而构成的保持 体。即，将保持体的两端分别插入各谷部的末端部(谷底部)并固定在隔热体的内周侧壁 上，由此抑制发热体的偏移。但是，在上述结构中，存在以下情况当随着升温，发热体产生热变形，则谷部的间 隙变得狭窄，保持件被剪切。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制 造方法，能够抑制发热体的偏移，并且，能够抑制因发热体的热变形而导致的保持件的剪 切。根据本专利技术的一个实施方式，提供一种加热装置，具有发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行 状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比所述谷部 的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周；保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种衬底处理装置，具有加热装置和处理室，该 处理室设在该加热装置的内部，对衬底进行处理，其中，所述加热装置具有发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相 连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比 所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周； 保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。根据本专利技术的又一实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有以下工序将衬底搬入设在加热装置的内部的处理室内的工序；将所述加热装置所具有的通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状的发 热体的两端固定在设于所述发热体的外周的隔热体上，并且，在分别设置在所述各部的末 端、作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成的保持体承受部内配置保持体并 将其固定在所述隔热体上，由此，保持所述发热体的位置，并使所述发热体升温，对所述处 理室内的衬底进行加热处理。专利技术的效果根据本专利技术的，能够抑制发 热体的偏移，并且，能够抑制因发热体的热变形而导致的保持件的剪切。 附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的衬底处理装置的垂直剖视图。图2是本专利技术的第一实施方式的加热单元的立体图。图3是本专利技术的第一实施方式的加热单元的部分放大图。图4(a)是例示构成本专利技术的第一实施方式的环状部的线状材料的概略图，图 4(b)是例示构成该环状部的板状材料的概略图。图5(a)是本专利技术的第一实施方式的环状部的部分放大图，图5(b)是放大部分的 侧视图。图6(a)是本专利技术的第一实施方式的变形例的环状部的部分放大图，图6(b)是放 大部分的侧视图。图7(a)是本专利技术的第一实施方式的变形例的加热单元的部分放大图，图7(b)是 以附图标记Al表示的区域中的环状部的部分放大图，图7(c)是以附图标记A2表示的区域 中的环状部的部分放大图。图8(a)是本专利技术的第一实施方式的变形例的加热单元的部分放大图，图8(b)是 以附图标记A3表示的区域中的环状部的部分放大图，图8(c)是以附图标记A4表示的区域 中的环状部的部分放大图，图8(d)是以附图标记A5表示的区域中的环状部的部分放大图。图9是表示本专利技术的第二实施方式的衬底处理装置的垂直剖视图。图10是本专利技术的第二实施方式的发热体的立体图。图11(a)是本专利技术的第二实施方式的环状部的部分放大图，图11(b)是放大部分 的侧视图。图12是保持本专利技术的第二实施方式的环状部的隔热体的部分放大图，图12(a)表 示升温前的情形，图12(b)表示升温后的情形。图13是表示本专利技术的第二实施方式的收纳部的变形例的概略图，图13(a)是收容 环状部的收纳部的部分放大图，图13(b)是放大部分的侧视图。图14是本专利技术的第三实施方式的升温前的加热单元的水平剖视图。图15是本专利技术的第三实施方式的升温后的加热单元的水平剖视图。图16是表示不具有保持体承受部的环状部的热变形的情形的部分放大图，图 16(a)表示升温前的情形，图16(b)表示升温后的情形，图16(c)表示由于热变形导致产生了保持体的剪切、环状部的开裂、环状部的短路的情形，图16(d)表示由于热变形导致产生 保持体的脱出的情形。图17是表示本专利技术的第一实施方式的发热体的热变形的情形的概略图，图17(a) 表示升温前的情形，图17(b)表示升温后的情形。图18是表示在室温状态下使收纳部和环状部成为同心圆状的情况的环状部的热 变形的情形的概略图，图18(a)表示升温前的情形，图18(b)表示升温后的情形。图19是例示不具有保持体承受部的环状部内的电流路径的概略图。图20是例示本专利技术的第一实施方式的发热体内的电流路径的概略图。图21是表示环状部的膨胀方向的概略图。图22是表示关于环状部的热膨胀的测定结果的概略图。 附图标记说明1晶片(衬底)14处理室30加热单元(加热装置)33隔热体40收纳部40d收纳部的两侧壁40e收纳部的底面41保持体42发热体42R环状部42a 峰部42b 谷部42c保持体承受部45、46 供电部具体实施例方式(第一实施方式)下面，参照附图对本专利技术的第一实施方式进行说明。图1是表示本专利技术的第一实施方式的衬底处理装置的垂直剖视图。图2是本专利技术 的第一实施方式的加热单元的立体图。图3是本专利技术的第一实施方式的加热单元的部分放 大图。图4(a)是例示构成本专利技术的第一实施方式的环状部的线状材料的概略图，图4(b) 是例示构成该环状部的板状材料的概略图。图5(a)是本专利技术的第一实施方式的环状部的 部分放大图，图5(b)是放大部分的侧视图。(1)衬底处理装置的结构下面，对本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的结构进行说明。本实施方式 的衬底处理装置，如图1中例示的那样，作为分批式纵型热壁型减压CVD (Chemical Vapor D印osition、化学气相淀积)装置构成。本实施方式的衬底处理装置，具有垂直支承的纵型处理管11。处理管11具有外管12和内管13。外管12以及内管13由例如石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等的耐热性高的材料 分别一体成形。外管12形成为上端封闭下端开口的圆筒形状。内管13形成为上下两端开 口的圆筒形状。外管12的内径构成为比内管13的外径大。外管12以将内管13的外侧包 围的方式相对于内管13设置为同心圆状。在内管13内，形成有收纳晶片1并对其进行处 理的处理室14，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热装置，具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周；保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村田等，小杉哲也，杉浦忍，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]