【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、非易失性存储器装置可对数据进行电擦除和编程，并且即使在供电中断时也可保留所存储的数据。因此，非易失性存储器装置最近已广泛用在各种领域。
2、非易失性存储器装置通常可分类为nand型非易失性存储器装置和nor型非易失性存储器装置。nand型非易失性存储器装置具有高集成度的优点，nor型非易失性存储器装置具有高速的优点。
3、由于nand型非易失性存储器装置具有包括串联连接的多个存储器单元的单元串结构，所以nand型非易失性存储器装置提供高集成度的优点。另外，由于nand型非易失性存储器装置采用同时改变存储在多个存储器单元中的数据的操作方法，所以与nor型非易失性存储器装置相比，数据更新速度非常高。由于高集成度和高数据更新速度，nand型非易失性存储器装置主要用在诸如数字相机或mp3播放器的需要大容量存储装置的便携式电子装置中。
4、已对促进和改进上述nand型非易失性存储器装置的优点进行了研究。作为这些研究的一部分，已提出了具有三维结构的nand型非易失性存储器装置。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，可提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板；源极层叠结构和源极绝缘层，其设置在基板上方以彼此间隔开；隔离绝缘层，其设置在源极层叠结构和源极绝缘层之间；第一层叠结构，其设置在源极层叠结
2、根据本公开的实施方式，可提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：源极层叠结构和源极绝缘层，其设置在外围电路上方以彼此间隔开；隔离绝缘层，其设置在源极绝缘层和源极层叠结构之间；第一层叠结构，其包括位于源极层叠结构上方的多个层间绝缘层和多个导电层；狭缝，其分割第一层叠结构，该狭缝延伸到源极层叠结构中；以及下触点，其穿透源极绝缘层。
3、根据本公开的实施方式，可提供一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的基板上形成外围电路结构；在外围电路结构上方形成初步源极层叠结构；形成穿透初步源极层叠结构的开口，该开口与基板的第二区域交叠；沿着开口的侧壁形成第一绝缘层；在开口内形成第二绝缘层；形成穿透第二绝缘层的下触点；在初步源极层叠结构上方形成第一材料层和第二材料层交替地层叠的初步层叠结构；形成穿透初步层叠结构和初步源极层叠结构的一部分的垂直结构，该垂直结构与基板的第一区域交叠；以及形成穿透初步层叠结构并且连接到下触点的上触点，该上触点与基板的第二区域交叠。
4、根据本公开的实施方式，可提供一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在外围电路结构上方形成初步源极层叠结构，该初步源极层叠结构包括第一源极层和源极牺牲层；形成穿透初步源极层叠结构的开口；沿着开口的侧壁形成第一绝缘层；在通过第一绝缘层敞开的开口内形成第二绝缘层；形成穿透第二绝缘层的下触点；在初步源极层叠结构上方形成第一材料层和第二材料层交替地层叠的初步层叠结构；形成穿透初步层叠结构的狭缝；以及通过狭缝利用沟道连接层替换源极牺牲层。
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1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构和所述源极绝缘层设置在相同的高度处。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括与所述源极绝缘层的材料不同的材料。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括氮化物层。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括外围电路结构，该外围电路结构设置在所述基板和所述源极层叠结构之间以及所述基板和所述源极绝缘层之间，
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层的所述第二部分被所述下触点穿透。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括上触点，该上触点穿透所述第二层叠结构并且连接到所述下触点。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下触点与所述源极层叠结构间隔开。
10.根
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构包括第一源极层和第二源极层，并且
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构还包括位于所述第一源极层和所述第二源极层之间的沟道连接层，
13.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层在外围电路结构和所述源极绝缘层之间延伸。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层设置在所述源极层叠结构的侧壁上。
16.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括第二层叠结构，该第二层叠结构包括设置在所述源极绝缘层上方的多个虚设层间绝缘层和多个牺牲层。
17.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一绝缘层包括：
19.根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：
20.根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述下触点穿透所述第一绝缘层的所述第二部分。
22.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述初步源极层叠结构包括层叠在所述基板上方的第一源极层和源极牺牲层，
24.根据权利要求23所述的方法，其中，与所述第二绝缘层相对于所述源极牺牲层的蚀刻选择性相比，所述第一绝缘层相对于所述源极牺牲层具有高蚀刻选择性。
25.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述开口内层叠，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构和所述源极绝缘层设置在相同的高度处。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括与所述源极绝缘层的材料不同的材料。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括氮化物层。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括外围电路结构，该外围电路结构设置在所述基板和所述源极层叠结构之间以及所述基板和所述源极绝缘层之间，
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层的所述第二部分被所述下触点穿透。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括上触点，该上触点穿透所述第二层叠结构并且连接到所述下触点。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下触点与所述源极层叠结构间隔开。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘层被所述源极绝缘层穿透。
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构包括第一源极层和第二源极层，并且
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述源极层叠结构还包括位于所述第一源极层和所述第二源极层之间的沟道连接层，
13.一种半导体存...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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