【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体技术，尤指一种用于磁存储器的半导体器件、存储结构、电子设备。
技术介绍
1、磁性随机存储器((magnetoresistive random access memory，mram)是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件，具有极快的开关速度、近乎为零的泄露功耗、极高的可靠性等显著优点，是实现存算一体化技术的理想器件之一，但其大电流的需求特性，使得需要使用面积很大的晶体管来提供大电流，导体存储器的体积过大，阻碍了这类存储器的应用。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开实施例提供了一种用于磁存储器的半导体器件、存储结构和电子设备，占用面积小且能提供大电流。
3、本公开实施例提供了一种用于磁存储器的半导体器件，多个沿垂直于衬底方向堆叠的晶体管，字线，第一连接电极，第二连接电极；每个所述晶体管包括第一电极，第二电极，沿垂直于所述衬底方向延伸的栅电极，位于所述栅电极侧壁且与所述栅电极绝缘的半导体层；所述第一连接电极连接所述多个晶体管的所述第一电极，所述第二连接电极连接所述多个晶体管的所述第二电极，所述字线沿垂直于所述衬底的方向延伸且贯穿所述多个堆叠的晶体管。
4、一些实施例中，所述半导体层环绕所述栅电极的侧壁形成环形结构。
5、一些实施例中，所述半导体层的主表面沿垂直于所述衬底的方向延伸。
6、一些实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述
7、一些实施例中，所述多个栅电极连接为字线，所述多个晶体管的半导体层在所述字线的侧壁延伸为一体式结构。
8、一些实施例中，所述多个晶体管的所述栅电极连接形成所述字线，所述字线在各晶体管的叠层中仅沿着垂直衬底的方向延伸。
9、一些实施例中，同一晶体管的所述第一电极、所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向堆叠。
10、一些实施例中，在平行于所述衬底的平面上，不同晶体管的所述第一电极、所述第二电极的正投影存在交叠。
11、一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极的材料不同。
12、一些实施例中，所述第一连接电极沿垂直于所述衬底的方向延伸。
13、一些实施例中，所述第二连接电极沿垂直于所述衬底的方向延伸。
14、一些实施例中，所述第一电极和第二电极分别环绕所述栅电极的侧壁与所述栅电极绝缘形成环形结构，所述环形结构具有上表面和下表面以及侧面，所述侧面延伸方向垂直衬底；
15、所述第一连接电极设置在所述第一电极的所述侧面的第一侧，所述第二连接电极设置在所述第一电极的所述侧面的第二侧，且所述第一侧和第二侧位于所述侧面的不同的区域且间隔设置。
16、本公开实施例提供一种存储结构，包括上述用于磁存储器的半导体器件，还包括，与所述第一连接电极或者第二连接电极连接的数据存储元件。
17、在一示例性实施例中，所述数据存储元件包括磁隧道结。
18、在一示例性实施例中，所述磁隧道结设置在所述半导体器件背离所述衬底一侧，或者，所述磁隧道结设置在所述半导体器件朝向所述衬底一侧。
19、本公开实施例提供一种电子设备，包括上述用于磁存储器的半导体器件，或者，上述存储结构。
20、本公开实施例包括一种用于磁存储器的半导体器件、存储结构、电子设备，所述用于磁存储器的半导体器件包括多个沿垂直于衬底方向堆叠的晶体管，字线，第一连接电极，第二连接电极；每个所述晶体管包括第一电极，第二电极，沿垂直于所述衬底方向延伸的栅电极，位于所述栅电极侧壁且与所述栅电极绝缘的半导体层；所述第一连接电极连接所述多个晶体管的所述第一电极，所述第二连接电极连接所述多个晶体管的所述第二电极，所述字线沿垂直于所述衬底的方向延伸且贯穿所述多个晶体管。本实施例提供的方案，通过连接多个晶体管的第一电极，连接多个晶体管的第二电极形成多个并联的晶体管，且多个晶体管在垂直方向堆叠，实现可以提供大电流的半导体器件，且占用的面积小。
21、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
22、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，包括：多个沿垂直于衬底方向堆叠的晶体管，字线，第一连接电极，第二连接电极；每个所述晶体管包括第一电极，第二电极，沿垂直于所述衬底方向延伸的栅电极，位于所述栅电极侧壁且与所述栅电极绝缘的半导体层；所述第一连接电极连接所述多个晶体管的所述第一电极，所述第二连接电极连接所述多个晶体管的所述第二电极，所述字线沿垂直于所述衬底的方向延伸且贯穿所述多个堆叠的晶体管。
2.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述半导体层环绕所述栅电极的侧壁形成环形结构。
3.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的主表面沿垂直于所述衬底的方向延伸。
4.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述多个晶体管的半导体层的正投影存在交叠。
5.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述多个栅电极连接为字线，所述多个晶体管的半导体层在所述字线的侧壁延伸为一体式结构。
6.根据权利要求1所述的用于
7.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，同一晶体管的所述第一电极、所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向堆叠。
8.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，不同晶体管的所述第一电极、所述第二电极的正投影存在交叠。
9.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料不同。
10.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述第一连接电极沿垂直于所述衬底的方向延伸。
11.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述第二连接电极沿垂直于所述衬底的方向延伸。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和第二电极分别环绕所述栅电极的侧壁与所述栅电极绝缘形成环形结构，所述环形结构具有上表面和下表面以及侧面，所述侧面的延伸方向垂直所述衬底；
13.一种存储结构，其特征在于，包括如权利要求1至12任一所述的用于磁存储器的半导体器件，还包括，与所述第一连接电极或者第二连接电极连接的数据存储元件。
14.根据权利要求13所述的存储结构，其特征在于，所述数据存储元件包括磁隧道结。
15.根据权利要求14所述的存储结构，其特征在于，所述磁隧道结设置在所述半导体器件背离所述衬底一侧，或者，所述磁隧道结设置在所述半导体器件朝向所述衬底一侧。
16.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至12任一所述的用于磁存储器的半导体器件，或者，如权利要求13至15任一所述的存储结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，包括：多个沿垂直于衬底方向堆叠的晶体管，字线，第一连接电极，第二连接电极；每个所述晶体管包括第一电极，第二电极，沿垂直于所述衬底方向延伸的栅电极，位于所述栅电极侧壁且与所述栅电极绝缘的半导体层；所述第一连接电极连接所述多个晶体管的所述第一电极，所述第二连接电极连接所述多个晶体管的所述第二电极，所述字线沿垂直于所述衬底的方向延伸且贯穿所述多个堆叠的晶体管。
2.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述半导体层环绕所述栅电极的侧壁形成环形结构。
3.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的主表面沿垂直于所述衬底的方向延伸。
4.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述多个晶体管的半导体层的正投影存在交叠。
5.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述多个栅电极连接为字线，所述多个晶体管的半导体层在所述字线的侧壁延伸为一体式结构。
6.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，所述多个晶体管的所述栅电极连接形成所述字线，所述字线在各晶体管的叠层中仅沿着垂直衬底的方向延伸。
7.根据权利要求1所述的用于磁存储器的半导体器件，其特征在于，同一晶体管的所述第一电极、所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向堆叠。
8.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁静，卢亚楠，余泳，戴瑾，康卜文，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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