【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于一种半导体存储器装置及其形成方法，且特别有关于一种具有埋入式位元线的动态随机存取存储器及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体存储器装置的集成度的提高，每个单位存储单元所占的平面面积进一步地缩小。在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中，为了实现单位存储单元的面积的缩小，已经提出了各种方法来在有限的区域中形成晶体管、位元线、字元线和与电容器电连接的接触结构。
2、然而，随着dram的单元间的密度增加，可能导致其中的次临界漏电流(sub-threshold leakage)、栅极引发漏极漏电流(gate induce drain leakage，gidl)、以及字元线与字元线之间的漏电流随之增加，而造成数据保持时间的损失。并且，埋入式字元线的工艺更难控制。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种动态随机存取存储器及其形成方法，以改善漏电流的问题及提高埋入式字元线的工艺裕度。
2、本专利技术一些实施例提供一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：形成隔离结构于基板中，以在基板中定义出主动区；形成位元线沟槽于主动区中，以将主动区分割为两个主动柱；形成埋入式位元线于位元线沟槽中；形成绝缘材料于位元线沟槽中的位元线上，且绝缘材料的顶表面低于基板的顶表面，而在绝缘材料上形成沟槽；于沟槽所露出的各主动柱的侧壁形成浅凹槽，使各主动柱具有颈部沟道(channel)区；以及形成埋入式字元线于浅凹槽中。>
3、本专利技术实施例亦提供一种动态随机存取存储器，包括：基板，包括主动区，主动区包括两个具有颈部沟道区的主动柱，且各颈部沟道区的表面形成浅凹槽；埋入式位元线，位于主动柱之间，且埋入式位元线的表面低于基板的顶表面；绝缘结构，位于埋入式位元线上，以分隔主动区的主动柱；及多个埋入式字元线，各埋入式字元线被容纳于浅凹槽中，以包围各主动柱的颈部沟道区，且绝缘结构位于埋入式字元线之间。
4、本专利技术提供一种动态随机存取存储器，其具有环绕栅极结构，而可降低因短沟道效应所造成的次临界漏电流。此外，本专利技术的dram的主动柱具有窄缩的颈部沟道区以形成用以容纳埋入式字元线的浅凹槽，使得埋入式字元线的一部分或全部可以容纳于浅凹槽中，进而降低埋入式字元线间短路的风险。此外，根据本专利技术的dram的形成方法，在沟道区的侧壁上形成并移除氧化层，可使得主动区的边角圆滑，而可降低关闭漏电流。另外，进行退火工艺可修复沟道区的表面以改善栅极均匀度并降低漏电流。
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1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅凹槽包括：
3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅凹槽包括：
6.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为氢气退火工艺。
7.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述氧化层具有3nm至5nm的厚度。
8.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述浅凹槽的深度不大于所述介电间隙壁的厚度。
9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述绝缘材料上形成所述沟槽包括：
10.如权利要求9所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
11.如权利要
12.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述埋入式字元线包括：
13.如权利要求12所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
14.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述埋入式字元线包括：
16.如权利要求15所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述栅极电极层嵌入于所述阻挡层的表面所形成一凹槽中。
17.如权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：
18.如权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述埋入式位元线具有弯折的图案，所述埋入式位元线的一部份平行于所述主动区，且所述埋入式位元线的另一部分与所述主动区重叠，而使所述电容器接触结构位于所述埋入式位元线的所述另一部分的两侧。
19.如权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述主动区具有一圆角。
20.如权利要求14所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括一隔离结构，用以定义出所述主动区，且所述隔离结构的宽度小于所述绝缘结构的宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅凹槽包括：
3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅凹槽包括：
6.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为氢气退火工艺。
7.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述氧化层具有3nm至5nm的厚度。
8.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述浅凹槽的深度不大于所述介电间隙壁的厚度。
9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述绝缘材料上形成所述沟槽包括：
10.如权利要求9所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，还包括：
11.如权利要求9所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在回蚀所述绝缘材料与所述隔离结构后，位于所述绝缘材料上的所述沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜英竹，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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