【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是关于半导体制造技术，特别是关于半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体结构的尺寸持续缩减，制造半导体的难度也随之大幅提升。举例来说，图案化掩膜的设计限制了半导体结构的进一步微缩，进而限制尺寸相关的效能的提升。因此，需要改善半导体结构及其形成方法，以提升半导体结构的效能。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一些实施例提供半导体结构，包含衬底、介电结构、浮动栅极和控制栅极。衬底具有突出部、第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽分别位于突出部的两侧。介电结构从第一凹槽和第二凹槽延伸至突出部的顶表面上方。浮动栅极设置于衬底上方且邻接介电结构的一侧壁。控制栅极设置于浮动栅极上方且在介电结构的顶表面上方延伸至突出部正上方。
2、根据本专利技术的一些实施例提供半导体结构的形成方法，包含在衬底上方形成浮动栅极；在浮动栅极中形成沟槽暴露出衬底的顶表面；在沟槽中形成自对准芯结构；形成光刻胶使得光刻胶包含覆盖浮动栅极的顶表面和自对准芯结构的顶表面的第一部分及覆盖自对准...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突出部包括邻近所述第一凹槽的一第一柱和邻近所述第二凹槽的一第二柱，并且所述介电结构在所述第一柱和所述第二柱之间延伸至所述衬底的顶表面下方。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突出部上方不设置所述浮动栅极。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浮动栅极的一第一部分设置于所述衬底的一主动区上方且邻接所述介电结构的所述侧壁，并且在一上视图中，所述突出部围绕所述主动区。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突出部包括邻近所述第一凹槽的一第一柱和邻近所述第二凹槽的一第二柱，并且所述介电结构在所述第一柱和所述第二柱之间延伸至所述衬底的顶表面下方。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突出部上方不设置所述浮动栅极。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浮动栅极的一第一部分设置于所述衬底的一主动区上方且邻接所述介电结构的所述侧壁，并且在一上视图中，所述突出部围绕所述主动区。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述浮动栅极的一第二部分设置于所述衬底的一虚设区上方且邻接所述介电结构的另一侧壁，并且在所述上视图...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄子芸，刘重显，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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