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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包含衬底、介电结构、浮动栅极和控制栅极。衬底具有突出部、第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽分别位于突出部的两侧。介电结构从第一凹槽和第二凹槽延伸至突出部的顶表面上方。浮动栅极设置于...
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