【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体结构及其形成方法，特别是关于动态随机存取内存结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存取内存(dynamic random access memory，dram)广泛地应用于消费性电子产品中。为了增加动态随机存取内存内的组件密度以及改善其整体表现，目前的制造技术持续朝向组件尺寸的微缩化而努力。
2、然而，当组件密度持续增加时，许多挑战随之而生。例如，改善栅极引发漏极漏电流(gate induced drain leakage，gidl)、锤撃效应(row hammer)问题和刷新时间(refresh time，tref)表现等等。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供半导体结构，包括衬底、隔离部件、字线以及掺杂区。衬底具有主动区。隔离部件设置于衬底中，用以定义主动区。字线埋置于衬底中且延伸横跨主动区和隔离部件，字线包括第一导电结构以及设置于该第一导电结构上的第二导电结构。掺杂区设置于主动区中且相邻字线，其中第一导电结构的顶面在掺杂区的底面下方。p>
2、本专利本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电结构的一底面在沿一字线延伸方向的一剖面图中为锯齿状。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该隔离部件中的该第一导电结构的一第一顶面在该掺杂区的该底面下方，且该第一顶面在该主动区中的该第一导电结构的一第二顶面下方。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构的该顶面在沿一字线延伸方向的一剖面图中为锯齿状。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电结构的功函数小于该第一导电结构的功函数
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电结构的一底面在沿一字线延伸方向的一剖面图中为锯齿状。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该隔离部件中的该第一导电结构的一第一顶面在该掺杂区的该底面下方，且该第一顶面在该主动区中的该第一导电结构的一第二顶面下方。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构的该顶面在沿一字线延伸方向的一剖面图中为锯齿状。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电结构的功函数小于该第一导电结构的功函数。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该隔离部件中的该第二导电结构的一第一底面在该主动区中的该第二导电结构的一第二底面下方。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构和该第二导电结构包括相同的材质。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构与该第二导电结构分别包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，在该主动区中的该第二导电结构的该衬层接触在该...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏宏谕，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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