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本申请公开一种半导体结构及其形成方法；其中所述半导体结构，包括衬底、隔离部件、字线以及掺杂区。衬底具有主动区。隔离部件设置于衬底中，用以定义主动区。字线埋置于衬底中且延伸横跨主动区和隔离部件，字线包括第一导电结构以及设置于该第一导电结构上的...
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