发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开一种发光器件及具有该发光器件的发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层、和在有源层上的第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与第一导电型半导体层的一部分接触；覆盖第一电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电极，其中第二电极设置在绝缘层和第二导电型半导体层中的至少一个上。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。
技术介绍
III-V族氮化物半导体已经广泛地用于光学器件例如蓝色/绿色LED (发光二极 管)、高速开关器件例如MOSFET (金属半导体场效应晶体管)和HEMT (异质结场效应晶体 管)、照明或者显示装置的光源等。氮化物半导体主要用于LED (发光二极管)或者LD (激光二极管)，已经持续进行 研究来改善氮化物半导体的制造工艺或者光效率。
技术实现思路
实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 具有在第一导电型半导体层上的第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第一导电型半导体层上的包括臂形部分的第一电极、绝缘层、第二电极、和第一电 极层的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第二导电型半导体层上的第一电极层和具有臂形部分的第二电极的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第二导电型半导体层上的具有双结构的第一电极层。实施方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层、和在所述有源层上的第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与所述第一导电型半导体层的一部分接触；覆盖所述第一电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电极，其中所述第二电极设置在所述绝缘层和所述第二导电型半导体层中的至少一个上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林祐湜，秋圣镐，崔炳均，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]