发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开一种发光器件及具有该发光器件的发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层、和在有源层上的第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与第一导电型半导体层的一部分接触；覆盖第一电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电极，其中第二电极设置在绝缘层和第二导电型半导体层中的至少一个上。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。
技术介绍
III-V族氮化物半导体已经广泛地用于光学器件例如蓝色/绿色LED (发光二极 管)、高速开关器件例如MOSFET (金属半导体场效应晶体管)和HEMT (异质结场效应晶体 管)、照明或者显示装置的光源等。氮化物半导体主要用于LED (发光二极管)或者LD (激光二极管)，已经持续进行 研究来改善氮化物半导体的制造工艺或者光效率。
技术实现思路
实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 具有在第一导电型半导体层上的第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第一导电型半导体层上的包括臂形部分的第一电极、绝缘层、第二电极、和第一电 极层的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第二导电型半导体层上的第一电极层和具有臂形部分的第二电极的堆叠结构。实施方案提供一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件 包括在第二导电型半导体层上的具有双结构的第一电极层。实施方案提供一种发光器件和发光器件封装，其中第一和第二电极彼此偏置或者 彼此垂直交叠。实施方案提供一种发光器件和发光器件封装，其中第一和第二电极的自由度可改善。根据实施方案，一种发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导 体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；第一电极， 所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与第一导电型半导体层的一部分接触；覆盖第一 电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电极，其中第二电极设置在绝缘层和第 二导电型半导体层中的至少一个上。根据实施方案，一种发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导 体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；第一电极， 所述第一电极包括至少一个嵌入发光结构中的臂形部分并且与第一导电型半导体层的一 部分接触；覆盖第一电极的绝缘层；第二电极，第二电极包括至少一个臂形部分并设置在 绝缘层和第二导电型半导体层中的至少一个上；以及在第二电极和绝缘层上的第一透射性 电极层。根据实施方案，一种发光器件封装包括主体、设置在主体上的多个引线电极、与引线电极电连接的发光器件、以及覆盖发光器件的模制元件。发光器件包括发光结构， 所述发光结构包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上 的第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与第一导电 型半导体层的一部分接触；覆盖第一电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电 极，其中第二电极设置在绝缘层和第二导电型半导体层中的至少一个上。附图说明图1是显示根据第一实施方案的发光器件的立体图；图2是沿着图1的线A-A截取的截面图；图3是沿着图1的线B-B的侧截面图；图4 12是显示根据第一实施方案的发光器件的制造工艺的视图；图13是显示根据第二实施方案的发光器件的侧截面图；图14是显示根据第三实施方案的发光器件的侧截面图；图15是显示根据第四实施方案的发光器件的侧截面图；图16A 16F是显示根据第五实施方案的发光器件的视图；图17A 17F是显示根据第六实施方案的发光器件的视图；图18A 18F是显示根据第七实施方案的发光器件的视图；图19 22是显示根据第八实施方案的第一电极形成工艺的侧截面图；图23 26是显示根据第九实施方案的第一电极形成工艺的侧截面图；图27 30是显示根据第十实施方案的第一电极形成工艺的侧截面图；图31 34是显示根据实施方案的电极图案的实例的视图；图35是显示根据实施方案的发光器件封装的侧截面图；图36是显示根据实施方案的照明单元的视图；和图37是显示根据实施方案的背光单元的视图。具体实施例方式以下，将参考附图描述实施方案。在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者结构称为在另一衬 底、另一层(或者膜)、另一区域、另一垫或者另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接地” 或者“间接地”在所述另一衬底、层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”或者“下”，或也可存 在一个或者更多个中间层。所述层的这种位置参考附图进行描述。图1是显示根据第一实施方案的发光器件的立体图，图2是沿着图1的线A-A截 取的截面图，图3是沿着图1的线B-B的截面图。参考图1，发光器件100包括衬底111、第一导电型半导体层113、有源层115、第 二导电型半导体层117、第一电极120、第一垫128、绝缘层130、第二电极150、第一电极层 140、第二垫158和第二电极层140A。衬底111 可包括 Al203、SiC、Si、GaAs、GaN、Zn0、GaP、InP 和 Ge 中的至少一种。衬 底111可用作导电衬底。在衬底111上和/或下可形成凹凸图案。凹凸图案可包括条形、 透镜形、柱形和锥形中的一种。在衬底111上可形成缓冲层和/或未掺杂的半导体层。缓冲层可减小GaN材料和 衬底材料之间的晶格失配，并且可包括GaN、ΙηΝ、Α1Ν、InGaN,AlGaN, InAlGaN或者AlInN中 的至少一种。未掺杂的半导体层可在衬底111或者缓冲层上形成，并且可包括未掺杂的GaN 基材料。缓冲层和/或未掺杂的半导体层可包括各种材料并且可以各种方式形成。在衬底111上形成第一导电型半导体层113，第一导电型半导体层113包括掺杂 有第一导电掺杂剂的至少一个半导体层，并且包括第一电极接触层。当第一导电型半导体 层113是N型半导体层时，第一导电型半导体层113可包括GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP 或者 AlGaInP 中的至少一种。第一导电型半导 体层113可包括单层或者多层。当第一导电掺杂剂是N型掺杂剂时，第一导电型半导体层 113 可包括 Si、Ge、Sn、Se 或者 Te。在第一导电型半导体层113上形成有源层115。有源层115可包括III-V族化合 物半导体。有源层115可包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或者量子点结构中 的至少一种。有源层115的阱层/势垒层可包括InGaN/GaN、GaN/AlGaN、或者InGaN/InGaN 中的配对结构，但是实施方案不限于此。阱层可包括带隙低于势垒层带隙的材料。在有源层115下可提供第一导电覆层。第一导电覆层可包括AlGa基半导体，并且 带隙高于有源层115的带隙。有源层115由具有取决于发出的光的波长的带隙的材料制成。例如，在波长为 460 470nm的蓝色光的情况下，有源层115具有包括InGaN阱层/GaN势垒层的单量子阱 结构或者多量子阱结构。有源层115可选择性地包括能够提供可见射线频带的光例如蓝色 光、红色光和绿色光的材料，所述材料可在实施方案技术范围内进行改变。在第一导电型半导体层113和有源层115之间可形成第一导电覆层。如果第一导 电覆层是N型半导体层，则第一导电覆层可包括N型AlGaN层，但是实施方案不限于此。第 一导电覆层的带隙高于有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层、和在所述有源层上的第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极包括至少一个臂形部分并且与所述第一导电型半导体层的一部分接触；覆盖所述第一电极的绝缘层；以及包括至少一个臂形部分的第二电极，其中所述第二电极设置在所述绝缘层和所述第二导电型半导体层中的至少一个上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林祐湜，秋圣镐，崔炳均，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]