【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及巨量转移，尤其涉及一种芯片转移方法。
技术介绍
1、micro-led技术(led微缩化和矩阵化技术)是新一代的显示技术，其中巨量转移技术是micro-led制造中极为重要的部分，micro-led巨量转移技术是将成千上万颗micro-led从基底上转移到承接基板上的技术。
2、现有的micro-led是生长在基底上，为了匹配承接基板的micro-led 接收区域，micro-led在基底上的排布与承接基板的排布必须保持一致才能保证巨量转移的进行，故导致整个承接基板的利用率不足80％，进而导致单颗micro-led的价格过高，严重的阻碍了micro-led的产业化。针对该问题提出了一种悬空转移的解决方案，但是由于基底上的蓝绿光外延结构为氮化镓，激光剥离过程中由于氮气冲击导致micro-led倾斜，无法准确的落在承接基板上。
3、因此，如何提高芯片的悬空巨量转移良率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移方法，旨在提高芯片的悬空巨量转移良率。
2、本申请实施例提供一种芯片转移方法，包括以下步骤：提供一基底，基底上形成有包括多个待转移芯片的待转移芯片阵列，待转移芯片与基底之间形成有牺牲层；形成缓冲层，缓冲层覆盖基底具有待转移芯片阵列的表面、待转移芯片阵列及牺牲层；提供承接基板；将基底与承接基板对位；采用激光照射基底，使得待转移芯片阵列中的待转移芯片与基底之间的牺牲层分解，以将包覆有缓
3、上述芯片转移方法，采用缓冲层覆盖基底形成有待转移芯片的表面、牺牲层及待转移芯片，当通过激光剥离待转移芯片时，激光照射基底使得牺牲层分解，以将包覆有缓冲层的待转移芯片从基底上剥离，因此，在缓冲层的保护下，该芯片转移方法可以减少牺牲层受激光照射时分解产生的气体对待转移芯片及基底的冲击，实现无接触转移待转移芯片，避免了待转移芯片倾斜掉落在承接基板上，提高了芯片的悬空巨量转移良率。此外，通过上述芯片转移方法可以保证转移到承接基板上的待转移芯片具有良好的芯片平整性以及间距，从而实现从密排芯片转成任意组合排布芯片，以满足不同承接基板的键合要求，极大的提高了承接基板外延使用率，增加了工艺灵活性，降低了生产成本，进而促进了产业化。
4、可选地，形成缓冲层，缓冲层覆盖基底具有待转移芯片阵列的表面、待转移芯片阵列及牺牲层，包括：形成缓冲材料层，缓冲材料层覆盖基底具有待转移芯片阵列的表面、待转移芯片阵列及牺牲层；将缓冲材料层进行固化处理。
5、可选地，待转移芯片远离基底的表面形成有芯片电极，承接基板朝向待转移芯片的表面设有基板电极；采用激光照射基底，使得待转移芯片阵列中的待转移芯片与基底之间的牺牲层分解，以将包覆有缓冲层的待转移芯片从基底上剥离，使待转移芯片转移至承接基板上；并使待转移芯片与承接基板相接触，包括：采用激光照射基底，使得待转移芯片阵列中的待转移芯片与基底之间的牺牲层分解，以将包覆有缓冲层的待转移芯片从基底上剥离，使待转移芯片转移至承接基板上；待转移芯片的芯片电极与承接基板之间具有缓冲层；压合位于承接基板上的待转移芯片，使得待转移芯片的芯片电极与基板电极相接触。
6、上述芯片转移方法，通过压合位于承接基板上的待转移芯片，使得待转移芯片的芯片电极与承接基板的基板电极相接触，实现待转移芯片与承接基板的连接。
7、可选地，压合位于承接基板上的待转移芯片，使得待转移芯片的芯片电极与基板电极相接触，包括：使用分散压板压合待转移芯片，使得芯片电极与承接基板之间的缓冲层向四周扩散，以使得待转移芯片的芯片电极与基板电极相接触。
8、可选地，将基底与承接基板对位之后，采用激光照射基底之前，还包括：调节覆盖有缓冲层的基底或承接基板，使得待转移芯片与承接基板之间具有预设间距；缓冲层的厚度小于预设间距。
9、可选地，预设间距小于等于100μm；缓冲层的厚度与待转移芯片的厚度之差小于等于2μm。
10、可选地，缓冲层包括环氧树脂基异方性导电膜、环氧树脂基非导电胶膜、有机硅胶层、光解胶层或苯并环丁烯层。
11、上述芯片转移方法，缓冲层可以使牺牲层受激光照射时分解产生的气体被有效缓冲，避免了待转移芯片倾斜掉落在承接基板上，从而使待转移芯片被承接基板有效的承接，提高了芯片的悬空巨量转移良率。此外，上述芯片转移方法还可以保证转移到承接基板上的待转移芯片具有良好的芯片平整性。
12、可选地，承接基板包括临时载板或驱动背板。
13、可选地，牺牲层包括氮化镓层。
14、可选地，激光的照射区域的面积不小于一个待转移芯片的面积，且激光的照射区域的边缘与激光照射的待转移芯片的距离小于相邻两待转移芯片之间的间距。
15、上述芯片转移方法，利用上述激光照射区域可以实现准确剥离特定位置的芯片，从而实现从密排芯片转成任意组合排布芯片，以满足不同承接基板的键合要求，极大的提高了承接基板外延使用率，增加了工艺灵活性，降低了生产成本，进而促进了产业化。
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1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基底具有所述待转移芯片阵列的表面、所述待转移芯片阵列及所述牺牲层，包括：
3.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述待转移芯片远离所述基底的表面形成有芯片电极，所述承接基板朝向所述待转移芯片的表面设有基板电极；采用激光照射所述基底，使得所述待转移芯片阵列中的待转移芯片与所述基底之间的所述牺牲层分解，以将包覆有所述缓冲层的所述待转移芯片从所述基底上剥离，使所述待转移芯片转移至所述承接基板上；并使所述待转移芯片与所述承接基板相接触，包括：
4.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述压合位于所述承接基板上的所述待转移芯片，使得所述待转移芯片的所述芯片电极与所述基板电极相接触，包括：
5.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述基底与所述承接基板对位之后，采用激光照射所述基底之前，还包括：
6.如权利要求5所述的芯片转移方法，其特征在于，所述预设间距小于等于100μm；
7.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述缓冲层包括环氧树脂基异方性导电膜、环氧树脂基非导电胶膜、有机硅胶层、光解胶层或苯并环丁烯层。
8.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述承接基板包括临时载板或驱动背板。
9.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述牺牲层包括氮化镓层。
10.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述激光的照射区域的面积不小于一个所述待转移芯片的面积，且所述激光的照射区域的边缘与所述激光照射的所述待转移芯片的距离小于相邻两所述待转移芯片之间的间距。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基底具有所述待转移芯片阵列的表面、所述待转移芯片阵列及所述牺牲层，包括：
3.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述待转移芯片远离所述基底的表面形成有芯片电极，所述承接基板朝向所述待转移芯片的表面设有基板电极；采用激光照射所述基底，使得所述待转移芯片阵列中的待转移芯片与所述基底之间的所述牺牲层分解，以将包覆有所述缓冲层的所述待转移芯片从所述基底上剥离，使所述待转移芯片转移至所述承接基板上；并使所述待转移芯片与所述承接基板相接触，包括：
4.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述压合位于所述承接基板上的所述待转移芯片，使得所述待转移芯片的所述芯片电极与所述基板电极相接触，包括：
5.如权利要求3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：范春林，萧俊龙，王斌，汪庆，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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