【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及具有背势垒结构和掩埋p型层的iii族氮化物晶体管及其方法。本公开还涉及具有背势垒结构和掩埋p型层的iii族氮化物晶体管。本公开还涉及与具有背势垒结构和掩埋p型层的iii族氮化物晶体管相关联的方法。本公开还涉及制造具有背势垒结构和掩埋p型层的iii族氮化物晶体管的方法。本公开还涉及实现具有背势垒结构和掩埋p型层的iii族氮化物晶体管的方法。
技术介绍
1、iii族氮化物基或氮化镓(gan)基高电子迁移率晶体管(hemt)是用于高功率射频(rf)应用的杰出代表，无论是离散形式还是mmic(单片微波集成电路)形式。当前的ganhemt设计使用包括陷阱的缓冲层以实现期望的击穿。然而，这些陷阱导致记忆效应，记忆效应不利地影响性能。具体地，这些设计示出了与所谓的“滞后效应”相关联的一些捕获。
2、因而，需要一种解决iii族氮化物hemt中的滞后效应和/或其他负面性能问题并改善这样的器件的性能的解决方案。
技术实现思路
1、一个总体方面包括一种设备，该设备包括：基板；基板上的iii族氮化物背势垒层；iii族氮化物背势垒层上的iii族氮化物沟道层；iii族氮化物沟道层上的iii族氮化物势垒层，该iii族氮化物势垒层包括比iii族氮化物沟道层的带隙高的带隙；源极，电耦接到iii族氮化物势垒层；栅极，在iii族氮化物势垒层上；漏极，电耦接到iii族氮化物势垒层；以及p区域，布置在iii族氮化物势垒层处或iii族氮化物势垒层的下方，其中，p区域的至少一部分垂直布置在以下各项中的至少
2、一个总体方面包括一种制造器件的方法，该方法包括设置基板；在基板上设置iii族氮化物背势垒层；在iii族氮化物背势垒层上设置iii族氮化物沟道层；在iii族氮化物沟道层上设置iii族氮化物势垒层，该iii族氮化物势垒层包括比iii族氮化物沟道层的带隙高的带隙；将源极电耦接到iii族氮化物势垒层；在iii族氮化物势垒层上布置栅极；将漏极电耦接到iii族氮化物势垒层；以及设置p区域，该p区域布置在iii族氮化物势垒层处或iii族氮化物势垒层的下方，其中，p区域的至少一部分垂直布置在以下各项中的至少一项的下方：源极、栅极、栅极与漏极之间的区域。
3、一个总体方面包括具有至少一个背势垒结构和至少一个掩埋p型层的iii族氮化物晶体管。
4、一个总体方面包括与具有至少一个背势垒结构和至少一个掩埋p型层的iii族氮化物晶体管相关联的方法。
5、一个总体方面包括实现具有至少一个背势垒结构和至少一个掩埋p型层的iii族氮化物晶体管的方法。
6、一个总体方面包括制造具有至少一个背势垒结构和至少一个掩埋p型层的iii族氮化物晶体管的方法。
7、通过考虑以下详细描述、附图和权利要求，可以阐述或清楚本公开的附加特征、优点和方面。此外，应当理解，本公开的前述
技术实现思路
和以下具体实施方式是示例性的，并且旨在提供进一步的解释而不限制所要求保护的本公开的范围。
【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构，并且所述III族氮化物背势垒层和所述p区域减少总体滞后。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层配置有低本底杂质水平。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层配置有以下各项中的至少一项的低本底杂质水平：硅、氧、以及碳。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层被配置为所述III族氮化物沟道层的尖锐界面。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层包括AlGaN。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层包括Al浓度为1％至6％的Al
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述III族氮化物背势垒层是通过外延生长而结构化的，所述外延生长具有以下各项中的至少一项的低本底杂质水平：硅(Si)、氧(O)、以及碳(C)。
11.根据权利要求1所述的设备，还包括：成核层，形成在所述基板上，
12.根据权利要求1所述的设备，其中：
13.根据权利要求1所述的设备，其中：
14.根据权利要求1所述的设备，其中：
15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域被构造和布置为使得所述p区域的任何部分都不垂直位于所述漏极的下方。
16.根据权利要求1所述的设备，还包括：场板，
17.根据权利要求1所述的设备，还包括：场板，其中，所述场板电耦接到所述源极。
18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述p区域被构造和布置为平行于所述III族氮化物势垒层延伸有限的长度，使得所述p区域不垂直位于越过所述源极和所述漏极的区域的下方。
19.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域布置在所述栅极的下方并横跨所述栅极的长度，并且朝向所述源极和所述漏极延伸。
20.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域朝向所述源极延伸，但不与所述源极垂直重叠。
21.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域与所述源极垂直重叠。
22.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域朝向所述漏极延伸，但不与所述漏极垂直重叠。
23.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域与所述漏极垂直重叠。
24.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域不包括直接电连接。
25.一种制造器件的方法，包括：
26.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构。
27.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构。
28.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构，并且所述III族氮化物背势垒层和所述p区域减少总体滞后。
29.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层配置有低本底杂质水平。
30.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层配置有以下各项的低本底杂质水平：硅、氧、以及碳。
31.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层被配置为所述III族氮化物沟道层的尖锐界面。
32.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层包括AlGaN。
33.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层包括Al浓度为1％至6％的AlGaN。
34.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述III族氮化物背势垒层是通过外延生长而结构化的，所述外延生长具有以下各项中的至少一项的低本底杂质水平：硅(Si)、氧(O)、以及碳(C)。
35.根据权利要求25所述的制造器件的方法，还包括：成核层，形成在所述基板上，
36.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中：
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构，所述p区域至少部分地被配置为漏极滞后减少结构，并且所述iii族氮化物背势垒层和所述p区域减少总体滞后。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层配置有低本底杂质水平。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层配置有以下各项中的至少一项的低本底杂质水平：硅、氧、以及碳。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层被配置为所述iii族氮化物沟道层的尖锐界面。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层包括algan。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层包括al浓度为1％至6％的algan。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述iii族氮化物背势垒层是通过外延生长而结构化的，所述外延生长具有以下各项中的至少一项的低本底杂质水平：硅(si)、氧(o)、以及碳(c)。
11.根据权利要求1所述的设备，还包括：成核层，形成在所述基板上，
12.根据权利要求1所述的设备，其中：
13.根据权利要求1所述的设备，其中：
14.根据权利要求1所述的设备，其中：
15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域被构造和布置为使得所述p区域的任何部分都不垂直位于所述漏极的下方。
16.根据权利要求1所述的设备，还包括：场板，
17.根据权利要求1所述的设备，还包括：场板，其中，所述场板电耦接到所述源极。
18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述p区域被构造和布置为平行于所述iii族氮化物势垒层延伸有限的长度，使得所述p区域不垂直位于越过所述源极和所述漏极的区域的下方。
19.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域布置在所述栅极的下方并横跨所述栅极的长度，并且朝向所述源极和所述漏极延伸。
20.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域朝向所述源极延伸，但不与所述源极垂直重叠。
21.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域与所述源极垂直重叠。
22.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域朝向所述漏极延伸，但不与所述漏极垂直重叠。
23.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域与所述漏极垂直重叠。
24.根据权利要求1所述的设备，其中，所述p区域不包括直接电连接。
25.一种制造器件的方法，包括：
26.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述iii族氮化物背势垒层至少部分地被配置为栅极滞后减少结构。
27.根据权利要求25所述的制造器件的方法，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯特·哈林，萨普撒里希·斯里拉姆，郭佳，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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