【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及集成电路(ic)器件，并且更具体地涉及包括多部件通孔层电感器元件的集成电感器。
技术介绍
1、随着集成电路已经变得越来越复杂和昂贵，半导体工业已经采用新技术来管理大芯片中固有的增加的复杂性。一种此类技术是“片上系统(soc)”概念，其中与在共同的印刷电路板(pcb)上制造和安装多个器件相比，完整的系统是在单个硅芯片上单片地制造的。soc允许用户基于单个芯片来构建更小且更简单的系统，从而经常导致功率使用、成本和形状因数的显著降低，以及改善的器件可靠性和电池寿命。
2、soc可包括一种或多种类型的电子器件，例如晶体管、电容器、电阻器和/或电感器。形成在soc中的电感器称之为“集成电路电感器”或简称为“集成电感器”。集成电感器具有广泛的应用。例如，与经常受寄生效应影响的pcb安装的电感器相比较而言，集成电感器在高频操作在其中要求小电感的射频(rf)电路和(例如，在移动设备中使用的)毫米波电路中是有用的。集成电感器还特别适用于低噪声放大器(lna)、谐振负载和匹配网络应用，以及rf滤波器。又如，集成电感器对于例如在功率管理...
【技术保护点】
1.一种器件，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中：
3.根据权利要求1所述的器件，其中：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述多部件通孔层电感器元件在彼此正交并垂直于所述竖直方向的两个侧向方向中的每个方向上具有至少1μm的长度。
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述互连通孔在所述两个侧向方向中的至少一个方向上具有小于1μm的长度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述电感器导线具有小于10mΩ/sq的片
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种器件，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中：
3.根据权利要求1所述的器件，其中：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述多部件通孔层电感器元件在彼此正交并垂直于所述竖直方向的两个侧向方向中的每个方向上具有至少1μm的长度。
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述互连通孔在所述两个侧向方向中的至少一个方向上具有小于1μm的长度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述电感器导线具有小于10mω/sq的片电阻。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述电感器导线具有小于3mω/sq的片电阻。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件，其中包括所述金属层电感器元件和所述多部件通孔层电感器元件的所述电感器元件堆叠限定所述电感器导线的对角延伸导线段，所述对角延伸导线段相对于所述竖直方向对角地延伸。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，其中所述集成电感器包括螺旋电感器，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：冷耀俭，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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