结合基板凹陷的半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：基板(322)，具有包括凹陷区域(360)的上表面(322A)；基板上的半导体结构(390)，半导体结构的一部分在凹陷区域内；以及半导体结构上的栅极触件(310)、漏极触件(305)和源极触件(315)。凹陷区域不与漏极触件或源极触件垂直重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体器件，更具体而言，涉及半导体器件的改进的半导体结构和相关制造方法。美国政府利益声明本专利技术是在政府支持下根据国防部研究与工程副部长办公室(ousd r&e)国防制造科学与技术(dms&t)授予的合同号n000164-19-c-wp50进行的。政府对本专利技术享有某些权利。

技术介绍

1、诸如硅(si)和砷化镓(gaas)之类的材料已在低功率半导体器件中得到广泛应用，对于硅来说，还广泛应用于低频应用。但是，这些材料可能不太适合高功率和/或高频应用，例如，由于它们相对小的带隙(室温下对于si是1.12ev并且对于gaas是1.42)和相对小的击穿电压。

2、对于高功率、高温和/或高频应用和器件，可以使用宽带隙半导体材料，诸如碳化硅(sic)(例如，4h-sic在室温下的带隙大约为3.2ev)和iii族氮化物(例如，氮化镓(gan)在室温下的带隙大约为3.36ev)。如本文所使用的，术语“iii族氮化物”是指在氮(n)与周期表iii族元素(通常是铝(al)、镓(ga)和/或铟(in))之间形成的那些半导体化合物。该术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中半导体结构包括高电子迁移率晶体管HEMT或场效应晶体管FET。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中场效应晶体管FET包括金属氧化物半导体FET(MOSFET)或金属半导体FET(MESFET)。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其中基板包括与凹陷区域相邻的杂质区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中杂质区域包括p型杂质。

6.如权利要求4-5中的任一项所述的半导体器件，其中杂质区域位于凹陷区域的至少一个侧壁和/或底表面上。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中半导体结构包括高电子迁移率晶体管hemt或场效应晶体管fet。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中场效应晶体管fet包括金属氧化物半导体fet(mosfet)或金属半导体fet(mesfet)。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其中基板包括与凹陷区域相邻的杂质区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中杂质区域包括p型杂质。

6.如权利要求4-5中的任一项所述的半导体器件，其中杂质区域位于凹陷区域的至少一个侧壁和/或底表面上。

7.如权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其中半导体结构的在凹陷区域内的部分掺杂有p型掺杂剂。

8.如权利要求1-7中的任一项所述的半导体器件，其中凹陷区域位于半导体结构的从源极触件下方延伸到栅极触件下方的部分上。

9.如权利要求1-7中的任一项所述的半导体器件，其中凹陷区域位于半导体结构的从漏极触件下方延伸到栅极触件下方的部分上。

10.如权利要求1-7中的任一项所述的半导体器件，其中栅极触件包括第一栅极触件，

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中第一栅极触件和第二栅极触件在半导体结构上在第一方向上延伸，以及

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中与第一栅极触件相关联的第一晶体管的第一阈值电压和与第二栅极触件相关联的第二晶体管的第二阈值电压不同。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中栅极触件具有在第一方向上延伸的纵向轴，以及

14.如权利要求1-13中的任一项所述的半导体器件，其中半导体结构包括iii族氮化物。

15.一种半导体器件，包括：

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中杂质区域位于基板中的凹陷区域的至少一个侧壁和/或底表面上。

17.如权利要求15-16中的任一项所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·琼斯，S·斯瑞拉姆，K·博世，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：