【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及通过抑制副反应，减少薄膜内杂质的浓度，同时防止腐蚀或劣化，改善薄膜的电特性，控制薄膜的生长速率，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)以及薄膜的厚度均匀性的膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。
技术介绍
1、存储及非存储半导体器件的集成度在日趋提高，随着其结构变得越来越复杂，在将多种薄膜沉积到基板时，阶梯覆盖率(step coverage)的重要性越来越高。
2、所述半导体用薄膜由金属氮化物、金属氧化物、金属硅化物等形成。所述金属氮化物薄膜有氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、氮化锆(zrn)等薄膜，所述薄膜通常用于被掺杂的半导体的硅层与用作层间配线材料的铝(al)、铜(cu)等之间的防扩散膜(diffusionbarrier)。只是，当将钨(w)薄膜沉积到基板时，用作粘结层(adhesion layer)。
3、为了使沉积到基板的薄膜获得优秀且均匀的物性，所...
【技术保护点】
1.一种膜质改良剂，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
6.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，
10....
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种膜质改良剂，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的膜质改良剂，其特征在于，
6.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑在善，延昌峰，李承铉，金种文，
申请(专利权)人：秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：
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