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本发明涉及膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，在薄膜沉积工艺中，利用规定结构的膜质改良剂，抑制副反应，并适当控制薄膜生长速率，去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及...
该专利属于秀博瑞殷株式公社所有，仅供学习研究参考，未经过秀博瑞殷株式公社授权不得商用。

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