【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种生产太阳能电池的方法，该太阳能电池具有带隧道势垒的后侧触点，包括以下步骤：提供具有前侧和后侧的单晶晶片，该晶片包含或由硅和掺杂物组成；在晶片上制作隧道势垒；在隧道势垒上沉积多晶层或非晶层，该多晶层或非晶层包含或由硅和掺杂物组成，以及移除前侧的多晶层或非晶层。用这种方法制成的太阳能电池被称为隧道钝化接触太阳能电池(topcon太阳能电池)。
技术介绍
1、在高效太阳能电池中，金属后侧触点限制了效率。为了解决这一问题，已知作者为martin hermle的：“mit neuen verfahrenan die ideale solarzelle(采用新方法更接近理想的太阳能电池)”，www.bine.info/projektinfo_13_2017，以将后侧触点实施为多层系统。为此，由氧化物制成的隧道势垒被直接应用于形成太阳能电池的基板后侧。多晶硅或非晶硅沉积在该隧道势垒上。多晶硅或非晶硅还可选择地包含掺杂物。在这种多晶硅或非晶硅上再次形成金属触点。通过这种方式产生的后侧触点，一方面可以实现多数电荷载流子的低损耗传输。另一...
【技术保护点】
1.一种用于生产太阳能电池(1)的方法，所述太阳能电池具有带有隧道势垒(3)的后侧触点(9)，其特征在于以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对气相蚀刻，所述晶片(2)被加热到从约120℃至约260℃的温度、或从约150℃至约230℃的温度、或从约170℃至约220℃的温度、或从约180℃至约210℃的温度、或从约190℃至约200℃的温度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，针对气相蚀刻，所述晶片(2)位于传送带上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述气相蚀刻是用气相实施的，所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于生产太阳能电池(1)的方法，所述太阳能电池具有带有隧道势垒(3)的后侧触点(9)，其特征在于以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对气相蚀刻，所述晶片(2)被加热到从约120℃至约260℃的温度、或从约150℃至约230℃的温度、或从约170℃至约220℃的温度、或从约180℃至约210℃的温度、或从约190℃至约200℃的温度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，针对气相蚀刻，所述晶片(2)位于传送带上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述气相蚀刻是用气相实施的，所述气相中的所述f2浓度是从约20％至约30％、或从约23％至约27％、或约25.7％。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述气相蚀刻是用气相实施的，所述气相通过f2以从约3slm至约10slm、或从约5slm至约7slm、或从约5.5slm至约6.5slm的流速供应。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述气相蚀刻是用气相实施的，所述气相通过n2以从约0slm至约1slm、或从约0.5slm至约1.5slm、或从约0.75slm至约1.25slm、或从约0.9slm至约1.1slm的流速供应。
【专利技术属性】
技术研发人员：马尔茨·霍夫曼，塞巴斯蒂安·麦克，比沙尔·卡菲尔，约亨·伦奇，纳比尔·瓦哈卜·可汗，劳伦特·克洛查德，爱德华·达菲，
申请(专利权)人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会，
类型：发明
国别省市：
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