化学机械研磨用浆料组合物以及半导体器件的制造方法技术

提供一种化学机械研磨用氧化铈粒子及包含其的化学机械研磨用浆料组合物。通过将本发明专利技术的特征性的氧化铈粒子与阳离子聚合物和氮化膜研磨抑制剂组合，提供在使STI研磨工艺中的硅氧化膜/氮化膜选择比最大化的同时，能够提高氧化膜研磨速度的化学机械研磨用浆料组合物以及利用其的半导体器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种包含氧化铈粒子的化学机械研磨用浆料组合物以及半导体器件的制造方法，具体涉及增加通过与现有的氧化铈粒子不同的合成方法得到的氧化铈表面的ce3+的比例，从而尽管粒径小，但是能够在低含量下具有较高的氧化膜去除速度，并与此组合，能够通过适当的添加成分来减小氮化膜的研磨速度以对精细图案进行钝化的化学机械研磨用浆料组合物以及利用其的半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、随着半导体器件变得多样且高度集成化，更加精细的图案形成技术正在被使用，因此，半导体器件的表面结构正在变得更为复杂，并且，为了提高光刻(photolithography)的精度，在各个工艺中，层间平坦度正在作为非常重要的要素发挥着作用。在半导体器件的制造中，化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing，cmp)工艺被用作这种平坦化技术。例如，还较多地被用作以下工艺：去除为了层间绝缘而过量成膜的绝缘膜的工艺；使层间介质(interlayer dielectronic，ild)与芯片(chip)之间绝缘的浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation，st本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

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7.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：李正浩，金锡主，
申请(专利权)人：秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：

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