【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体器件，更具体而言，涉及半导体器件的环境保护及相关制造方法。
技术介绍
1、诸如硅(si)和砷化镓(gaas)之类的材料已在低功率半导体器件中得到广泛应用，对于硅来说，还广泛应用于低频应用。但是，这些材料可能不太适合高功率和/或高频应用，例如，由于它们相对小的带隙(室温下对于si是1.12ev并且对于gaas是1.42)和相对小的击穿电压。
2、对于高功率、高温和/或高频应用和器件，可以使用宽带隙半导体材料，诸如碳化硅(sic)(例如，4h-sic在室温下的带隙大约为3.2ev)和iii族氮化物(例如，氮化镓(gan)在室温下的带隙大约为3.36ev)。如本文所使用的，术语“iii族氮化物”是指在氮(n)与周期表iii族元素(通常是铝(al)、镓(ga)和/或铟(in))之间形成的那些半导体化合物。该术语是指二元、三元和四元化合物，诸如gan、algan和alingan。这些化合物具有其中一摩尔氮与总共一摩尔iii族元素化合的经验式。与gaas和si相比，这些材料可以具有更高的电场击穿强度和更高的电子饱和速度。
3、由本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体管器件，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管器件，还包括：
3.如权利要求2所述的晶体管器件，其中所述栅极触点之上的非平面包封层的厚度与所述栅极触点之上的自平坦化包封层的厚度的比率在0.20和0.29之间。
4.如权利要求2所述的晶体管器件，其中金属化层包括源极触点上的传输线，以及
5.如权利要求2所述的晶体管器件，其中所述半导体结构还包括在源极触点与栅极触点之间的源极接入区域，以及
6.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述非平面包封层的厚度在半导体结构之上基本均匀。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶体管器件，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管器件，还包括：
3.如权利要求2所述的晶体管器件，其中所述栅极触点之上的非平面包封层的厚度与所述栅极触点之上的自平坦化包封层的厚度的比率在0.20和0.29之间。
4.如权利要求2所述的晶体管器件，其中金属化层包括源极触点上的传输线，以及
5.如权利要求2所述的晶体管器件，其中所述半导体结构还包括在源极触点与栅极触点之间的源极接入区域，以及
6.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述非平面包封层的厚度在半导体结构之上基本均匀。
7.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述非平面包封层包括sio、sin、sion、zro、hfo、aln和/或alo。
8.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述自平坦化包封层包括聚酰亚胺、苯并环丁烯、玻璃、聚酰胺、聚苯并恶唑和/或光致抗蚀剂。
9.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述自平坦化包封层包括具有100至8000厘沲的未固化运动粘度的材料。
10.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述自平坦化包封层包括固化温度小于或等于250℃的材料。
11.如前述权利要求中的任一项所述的晶体管器件，其中所述自平坦化包封层包括基本上固化的材料。
12.一种晶体管器件，包括：
13.如权利要求12所述的晶体管器件，其中所述栅极触点之上的第一包封层的厚度与所述栅极触点之上的第二包封层的厚度的比率在0.20和0.29之间。
14.如权利要求12或13所述的晶体管器件，其中所述半导体结构还包括源极区域，
15.如权利要求14所述的晶体管器件，其中所述传输线之上的第一包封层的厚度与所述传输线之上的第二包封层的厚度的比率在0.28和0.45之间。
16.如权利要求14所述的晶体管器件，其中所述半导体结构还包括在源极触点与栅极触点之间的源极接入区域，以及
17.如权利要求12至16中的任一项所述的晶体管器件，其中所述第一包封层的厚度在半导体结构之上基本均匀。
18.如权利要求12至17中的任一项所述的晶体管器件，其中所述第二包封层的上表面在半导体结构之上基本是平面的。
19.如权利要求12至18中的任一项所述的晶体管器件，其中所述第一包封层包括sio、sin、sion、zro、hfo、aln和/或alo。
20.如权利要求12至19中的任一项所述的晶体管器件，其中第二包封层包括聚酰亚胺、苯并环丁烯、玻璃、聚酰胺、聚苯并恶唑和...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·哈迪曼，D·纳米什亚，K·博世，E·基南，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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