一种滤波器和电子装置制造方法及图纸

技术编号:41137013 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-30 18:08
本技术涉及一种滤波器。该滤波器包括层叠体、空间耦合谐振结构、曲折型三维谐振器、第一耦合结构、第二耦合结构和第三耦合结构,以及第一信号端子和第二信号端子。该滤波器易实现比平面谐振单元更小的尺寸,有利于滤波器的小型化;易实现更高的品质因数,有利于实现优秀的带外抑制;且具有优秀的带外抑制性能。滤波器内部结构非常紧凑,小型化性能突出。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及滤波器,尤其涉及一种滤波器和电子装置


技术介绍

1、滤波器作为无线通信系统中的关键器件,承担频率选择、杂散抑制的重要作用,其性能直接决定了系统通信质量的优劣。随着通信制式飞速演进,射频系统的集成密度和性能指标不断提高,对滤波器的尺寸和带外抑制性能提出更严苛的要求。

2、传统片式滤波器基于平面谐振单元,占用尺寸相对较大。同时,平面谐振单元品质因数相对较低,为实现期望的带外抑制性能往往通过增加谐振器数量,以此引入更多的带外传输零点,然而会导致器件内部元件数量激增,滤波器尺寸增大,带内损耗提高,难以满足当前射频微系统的小型化、低损耗的需求。因此,如何在微小尺寸空间内实现优秀的频率选择性能,成为当前滤波器设计面临的挑战。


技术实现思路

1、针对上述问题,本技术公布一种滤波器,曲折型三维谐振器和空间耦合谐振结构由不同水平面上的导体部和沿层叠方向延伸的导通柱构成为三维立体的谐振单元,易实现比平面谐振单元更小的尺寸,有利于滤波器的小型化。三维立体的谐振单元易实现更高的品质因数,有利于实现优秀的带外抑制。滤波器基于曲折型三维谐振器、空间耦合谐振结构和第一至第三耦合结构实现谐振单元之间多路电/磁混合耦合,实现三个带外传输零点衰减,具有优秀的带外抑制性能。滤波器内部结构非常紧凑,小型化性能突出。

2、本技术提供了一种滤波器,包括:

3、层叠体,其包含沿层叠方向设置的一个或多个电介质层;空间耦合谐振结构,空间耦合谐振结构包含第一导体部、第二导体部、第三导体部、第四导体部、第五导体部、第一导通柱、第二导通柱、第三导通柱、和第四导通柱;第一至第五导体部形成于层叠体内部或层叠体表面,第三导体部沿层叠方向设置在第一导体部与安装面之间,第四导体部沿层叠方向设置在第二导体部与安装面之间,第五导体部沿层叠方向设置在第一导体部与安装面之间,且第五导体部沿层叠方向设置在第二导体部与安装面之间;安装面为安装载体的表面,安装载体用于安装或固定滤波器,或者用于安装或固定滤波器的部分结构,或者用于安装或固定由滤波器组成的任意电子装置;第一导通柱、第二导通柱、第三导通柱和第四导通柱在层叠体中沿层叠方向延伸;曲折型三维谐振器,包括第一曲折型三维谐振器和第二曲折型三维谐振器,曲折型三维谐振器包含第六导体部、第七导体部、第八导体部、第五导通柱和第六导通柱;第六导体部、第七导体部和第八导体部形成在层叠体内部或层叠体表面,沿层叠方向层叠设置;第五导通柱和第六导通柱在层叠体中沿层叠方向延伸;第一耦合结构、第二耦合结构和第三耦合结构,第一至第三耦合结构均由形成在层叠体内部或层叠体表面的金属化的电极耦合构成;第一耦合结构配置在第一曲折型三维谐振器与第二曲折型三维谐振器之间的耦合路径上,第二耦合结构配置在第一曲折型三维谐振器与空间耦合谐振结构之间的耦合路径上,第三耦合结构配置在第二曲折型三维谐振器与空间耦合谐振结构之间的耦合路径上;以及,第一信号端子和第二信号端子,第一信号端子与第一曲折型三维谐振器耦合,第二信号端子与第二曲折型三维谐振器耦合。空间耦合谐振结构与第一曲折型三维谐振器耦合,且空间耦合谐振结构与第二曲折型三维谐振器耦合。空间耦合谐振结构被配置成夹在第一曲折型三维谐振器和第二曲折型三维谐振器之间。第一曲折型三维谐振器、第二曲折型三维谐振器和空间耦合谐振结构在与第一方向垂直的面上的投影轮廓交叠或部分重合。第一导通柱、第二导通柱、第三导通柱和第四导通柱在与第二方向垂直的面上的投影夹在第一曲折型三维谐振器的至少一个导通柱在与第二方向垂直的面上的投影和第二曲折型三维谐振器的至少一个导通柱在与第二方向垂直的面上的投影之间,第二方向垂直于第一方向。

4、可选的,第一导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者第一导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同。第二导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者第二导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同。第一导体部和第二导体部相邻设置,第一导体部和第二导体部存在间隙,第一导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影与第二导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影不重合。第三导体部与第四导体部相邻设置,第三导体部和第四导体部存在间隙,第三导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影与第四导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影不重合。第五导体部形成为弯折的形状。第五导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影同时与第三导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影、第四导体在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影部分重合。第五导体部和第三导体部之间存在相互面对关系的部分耦合形成第一容性结构。第五导体部和第四导体部之间存在相互面对关系的部分耦合形成第二容性结构。第一至第五导体部由金属化的材料构成。第一导体部通过第一导通柱和第二导通柱与第一容性结构耦合,第一导体部、第一容性结构、第一导通柱和第二导通柱及其之间的耦合路径在三维空间构成第一闭合环路。第二导体部通过第三导通柱和第四导通柱与第二容性结构耦合,第二导体部、第二容性结构、第三导通柱和第四导通柱及其之间的耦合路径在三维空间构成第二闭合环路。第一闭合环路和第二闭合环路在与第一方向垂直的面上的投影轮廓交叠或部分重合。

5、可选的,第五导体部沿层叠方向设置在第三导体部与安装面之间。

6、可选的,第五导体部沿层叠方向位于在第四导体部与安装面之间。

7、可选的,第六导体部由金属化的材料构成,其在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影形成为至少弯折两次的蜿蜒状。第七导体部由金属化的材料构成,沿层叠方向设置在第六导体部与安装面之间,包括第一连接段和与第一连接段存在间隙的第二连接段。第八导体部由金属化的材料构成,沿层叠方向设置在第七导体部与安装面之间,第八导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影与第七导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影部分重合。第八导体部与第七导体部的第二连接段导电连接。第八导体部和第七导体部的第一连接段在层叠方向相互面对的部分耦合构成第三容性结构,第三容性结构在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影与第六导体部在安装面或与层叠方向垂直的面上的投影至少部分重合。第六导体部通过第五导通柱与第三容性结构耦合,第六导体部通过第六导通柱与第二连接段耦合,第一导体部、第三容性结构、第五导通柱、第六导通柱、第二连接段及其之间的耦合路径在三维空间构成第三闭合环路。这种情况下,曲折型三维谐振器形成空间上的三维结构,易实现比平面谐振单元更小的尺寸,有利于滤波器的小型化。三维立体的谐振单元易实现更高的品质因数,有利于实现优秀的带外抑制。

8、可选的,第六导体部外轮廓宽度一致,或者,第六导体部外轮廓至少有部分宽度不同。这种情况下,所以根据设计需求调整第六导体部不同位置的宽度可以更灵活的调整第一导体部的特征阻抗,可以提高u性三维谐振器的设计自由度。

9、可选的,第六导体部包含互连的第三连接段、第四连接段和第五连接段,第三连接段与第四连接段垂直,第四连接段与第五连接段垂直,第三连接段和第五连接段相对第四连接段位于第四连接段的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种滤波器,包括:

2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者所述第一导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同;所述第二导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者所述第二导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同;所述第一导体部和所述第二导体部相邻设置,所述第一导体部和所述第二导体部存在间隙,所述第一导体部在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第二导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影不重合;

3.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述第五导体部沿所述层叠方向设置在所述第三导体部与所述安装面之间。

4.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述第五导体部沿所述层叠方向位于在所述第四导体部与所述安装面之间。

5.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第六导体部由金属化的材料构成,其在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影形成为至少弯折两次的蜿蜒状;

6.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,

7.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,

8.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,所述第二耦合结构与所述第一曲折型三维谐振器的第一连接段导电连接,所述第二耦合结构与所述空间耦合谐振结构的第三导体部导电连接;所述第三耦合结构与所述第二曲折型三维谐振器的第一连接段导电连接,所述第三耦合结构与所述空间耦合谐振结构的第四导体部导电连接。

9.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,所述第二耦合结构在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第一曲折型三维谐振器的第六导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合,和/或所述第三耦合结构在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第二曲折型三维谐振器的第六导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合。

10.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,还包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和至少一个附加电抗结构,所述附加电抗结构被配置在所述第一连接端与所述第一曲折型三维谐振器之间的耦合路径上,和/或所述附加电抗结构被配置在所述第二连接端与所述第二曲折型三维谐振器的耦合路径上,和/或所述附加电抗结构被配置在所述第三连接端与所述空间耦合谐振结构之间的耦合路径上;所述第一至第三连接端和所述附加电抗结构由金属化的材料构成。

11.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述第一连接端、所述第二连接端和所述第三连接端用于与参考地连接。

12.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构由导纳的虚数部分大于零的结构构成,或者所述附加电抗结构由导纳的虚数部分小于零的结构构成。

13.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构形成为其在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影由直线、折线、弧线、螺线中的至少一种从一点延伸而形成。

14.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构由多个金属化的电极耦合构成。

15.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构形成在所述层叠体内部,和/或所述附加电抗结构形成在所述层叠体表面,和/或所述附加电抗结构形成在所述安装载体内部,和/或所述附加电抗结构形成在所述安装载体表面。

16.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,包含第一至第三附加电抗结构;所述第一附加电抗结构配置在所述第一连接端与所述第一曲折型三维谐振器之间的耦合路径上;第二附加电抗结构配置在所述第二连接端与所述第二曲折型三维谐振器之间的耦合路径上;所述第三附加电抗结构被配置在所述第三连接端与所述空间耦合谐振结构之间的耦合路径上。

17.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一至第三耦合结构均由至少两个在所述层叠方向上相互面对的金属化电极构成,所述两个金属化电极在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合。

18.根据权利要求17所述的滤波器,其特征在于,所述第一耦合结构包含第一金属化电极、第二金属化电极和第三金属化电极;所述第二金属化电极与所述第一金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合;所述第二金属化电极与所述第三金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合,所述第二金属化电极与所述第一金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影的重合部分,与所述第二金属化电极与所述第三金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影的重合部分具有间隔。

19.根据权利要求17所...

【技术特征摘要】

1.一种滤波器,包括:

2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者所述第一导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同;所述第二导体部外轮廓被设置为宽度一致,或者所述第二导体部外轮廓至少有部分位置宽度不同;所述第一导体部和所述第二导体部相邻设置,所述第一导体部和所述第二导体部存在间隙,所述第一导体部在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第二导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影不重合;

3.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述第五导体部沿所述层叠方向设置在所述第三导体部与所述安装面之间。

4.根据权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述第五导体部沿所述层叠方向位于在所述第四导体部与所述安装面之间。

5.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第六导体部由金属化的材料构成,其在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影形成为至少弯折两次的蜿蜒状;

6.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,

7.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,

8.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,所述第二耦合结构与所述第一曲折型三维谐振器的第一连接段导电连接,所述第二耦合结构与所述空间耦合谐振结构的第三导体部导电连接;所述第三耦合结构与所述第二曲折型三维谐振器的第一连接段导电连接,所述第三耦合结构与所述空间耦合谐振结构的第四导体部导电连接。

9.根据权利要求5所述的滤波器,其特征在于,所述第二耦合结构在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第一曲折型三维谐振器的第六导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合,和/或所述第三耦合结构在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影与所述第二曲折型三维谐振器的第六导体部在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合。

10.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,还包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和至少一个附加电抗结构,所述附加电抗结构被配置在所述第一连接端与所述第一曲折型三维谐振器之间的耦合路径上,和/或所述附加电抗结构被配置在所述第二连接端与所述第二曲折型三维谐振器的耦合路径上,和/或所述附加电抗结构被配置在所述第三连接端与所述空间耦合谐振结构之间的耦合路径上;所述第一至第三连接端和所述附加电抗结构由金属化的材料构成。

11.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述第一连接端、所述第二连接端和所述第三连接端用于与参考地连接。

12.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构由导纳的虚数部分大于零的结构构成,或者所述附加电抗结构由导纳的虚数部分小于零的结构构成。

13.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构形成为其在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影由直线、折线、弧线、螺线中的至少一种从一点延伸而形成。

14.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构由多个金属化的电极耦合构成。

15.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,所述附加电抗结构形成在所述层叠体内部,和/或所述附加电抗结构形成在所述层叠体表面,和/或所述附加电抗结构形成在所述安装载体内部,和/或所述附加电抗结构形成在所述安装载体表面。

16.根据权利要求10所述的滤波器,其特征在于,包含第一至第三附加电抗结构;所述第一附加电抗结构配置在所述第一连接端与所述第一曲折型三维谐振器之间的耦合路径上;第二附加电抗结构配置在所述第二连接端与所述第二曲折型三维谐振器之间的耦合路径上;所述第三附加电抗结构被配置在所述第三连接端与所述空间耦合谐振结构之间的耦合路径上。

17.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一至第三耦合结构均由至少两个在所述层叠方向上相互面对的金属化电极构成,所述两个金属化电极在安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合。

18.根据权利要求17所述的滤波器,其特征在于,所述第一耦合结构包含第一金属化电极、第二金属化电极和第三金属化电极;所述第二金属化电极与所述第一金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合;所述第二金属化电极与所述第三金属化电极在所述安装面或与所述层叠方向垂直的面上的投影部分重合,所述第二金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:周雨进韦皓宇周骏沈亚
申请(专利权)人:南京国博电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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