【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种芯片转移方法、微发光二极管封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、mip(micro led in package，微发光二极管封装)是一种基于micro led(微发光二极管)的新型封装架构。
2、目前，现有的mip产品制备过程复杂，在芯片转移过程中，需要采用pdms(polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)进行转移，这样造成转移效率低，成本高昂，无法满足micro led产业化的需求。
3、因此，如何在mip制备成本低的前提下，提高芯片转移的效率是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供芯片转移方法、微发光二极管封装结构及其制备方法，旨在降低微发光二极管封装结构的制备成本同时，提高芯片转移的效率。
2、第一方面，本申请提供了一种芯片转移方法，包括：
3、提供第一临时基板；
4、将多颗第一芯片、多颗第二芯片及多颗第三芯片转移至所述第一临时基板上，以形成排布阵列，所述排布阵列包括多个排布单元，各所述排布单元均包括依次间隔排布的至少一颗第一芯片、至少一颗第二芯片及至少一颗第三芯片；
5、将各所述排布单元进行切割分离，以得到多个分离的待转移单元，一个所述待转移单元对应一个所述排布单元；
6、提供第二临时基板，将多个所述待转移单元均转移至所述第二临时基板上。
7、在其中一个实施例中，所述将多颗第一芯片
8、所述形成排布阵列之后，且所述将各所述排布单元进行切割分离之前，还包括：对所述第一临时基板进行背面减薄。
9、在其中一个实施例中，所述将各所述排布单元进行切割分离，以得到多个分离的待转移单元，包括：
10、采用激光切割工艺将各所述排布单元进行切割分离，以得到多个分离的待转移单元。
11、在其中一个实施例中，所述第一芯片包括红光发光芯片，所述第二芯片包括绿光发光芯片，所述第三芯片包括蓝光发光芯片。
12、上述一种芯片转移方法中，由于芯片转移过程中将包括多颗第一芯片、多颗第二芯片及多颗第三芯片的待转移单元进行整体转移，转移过程中不需要使用pdms，且多个待转移单元可以快速转移至第二临时基板上，大幅降低了成本，提高了转移效率，可以满足micro led产业化的需求。
13、第二方面，本申请还提供了一种微发光二极管封装结构的制备方法，包括：
14、采用第一方面所述的芯片转移方法将多个所述待转移单元转移至所述第二临时基板上；
15、于所述第二临时基板上形成平坦层，所述平坦层塑封各所述待转移单元，所述平坦层远离所述第二临时基板的表面与所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面均相平齐，以暴露出所述第一芯片的电极、所述第二芯片的电极及所述第三芯片的电极；
16、于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成电引出结构，所述电引出结构分别与所述第一芯片的电极、所述第二芯片的电极及所述第三芯片的电极相连接；
17、于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成塑封层，所述塑封层塑封所述电引出结构；
18、自相邻所述待转移单元之间对所得结构进行切割，以得到多个分离的微发光二极管封装结构。
19、在其中一个实施例中，所述于所述第二临时基板上形成平坦层，包括：
20、于所述第二临时基板上形成平坦材料层，所述平坦材料层包覆各所述待转移单元；
21、对所述平坦材料层进行减薄处理，以得到所述平坦层。
22、在其中一个实施例中，所述于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成塑封层，所述塑封层塑封所述电引出结构，包括：
23、于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成塑封材料层，所述塑封材料层包覆所述电引出结构；
24、对所述塑封材料层进行减薄处理，以得到所述塑封层。
25、在其中一个实施例中，所述塑封层包括黑胶层。
26、在其中一个实施例中，所述第一芯片的电极、所述第二芯片的电极及所述第三芯片的电极均包括间隔排布的第一电极和第二电极；所述于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成电引出结构，包括：
27、于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成第一导线、第二导线、第三导线及第四导线，并于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘及第四焊盘；所述第一导线的一端与所述第一芯片的第一电极相连接，另一端与所述第一焊盘相连接；所述第二导线的一端与所述第二芯片的第一电极相连接，另一端与所述第二焊盘相连接；所述第三导线的一端与所述第三芯片的第一电极相连接，另一端与所述第三焊盘相连接；所述第四导线的一端将所述第一芯片的第二电极、所述第二芯片的第二电极及所述第三芯片的第二电极依次串接，另一端与所述第四焊盘相连接。
28、由于在微发光二极管封装结构的制备方法中，将包括多颗第一芯片、多颗第二芯片及多颗第三芯片的待转移单元进行整体转移，转移过程中不需要使用pdms，且多个待转移单元可以快速转移至第二临时基板上，大幅降低了微发光二极管封装结构的制备成本，提高了微发光二极管封装结构的制备效率。
29、第三方面，本申请还提供了一种微发光二极管封装结构，所述微发光二极管封装结构采用如第二方面所述的微发光二极管封装结构的制备方法制备而得到。
30、上述微发光二极管封装结构由于采用第二方面所述的微发光二极管封装结构的制备方法制备而得到，在微发光二极管封装结构的制备方法中，将包括多颗第一芯片、多颗第二芯片及多颗第三芯片的待转移单元进行整体转移，转移过程中不需要使用pdms，且多个待转移单元可以快速转移至第二临时基板上，大幅降低了微发光二极管封装结构的制备成本，提高了微发光二极管封装结构的制备效率。
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1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将各所述排布单元进行切割分离，以得到多个分离的待转移单元，包括：
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一芯片包括红光发光芯片，所述第二芯片包括绿光发光芯片，所述第三芯片包括蓝光发光芯片。
5.一种微发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述第二临时基板上形成平坦层，包括：
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述平坦层远离所述第二临时基板的表面及所述待转移单元远离所述第二临时基板的表面形成塑封层，所述塑封层塑封所述电引出结构，包括：
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述塑封层包括黑胶层。
9.如权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一芯片的电极、所述第二芯片的电极及所述第三芯片的电极均包括间隔排布的第一电极和第二电极；所述于所述平坦层远离所述第二临时
10.一种微发光二极管封装结构，其特征在于，所述微发光二极管封装结构采用如权利要求5至9中任一项所述的微发光二极管封装结构的制备方法制备而得到。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将各所述排布单元进行切割分离，以得到多个分离的待转移单元，包括：
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一芯片包括红光发光芯片，所述第二芯片包括绿光发光芯片，所述第三芯片包括蓝光发光芯片。
5.一种微发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述第二临时基板上形成平坦层，包括：
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述平坦层远离...
【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，戴广超，陈德伪，赵世雄，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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