【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体结构,特别是涉及一种发光二极管封装结构、显示面板及显示装置。
技术介绍
1、led芯片是一种固态的半导体器件,也称为led发光芯片,是led灯的核心组件。led是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以led的抗震性能好。
2、静电,通常是人为产生的,如生产、组装、测试、存放的过程中都有可能使得静电累积在人体、搬运、仪器或设备中,甚至元器件本身也会累积静电,当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径,瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电而损坏。随着led芯片的尺寸越来越小,芯片抗静电释放的能力也越来越弱,对于微芯片而言,单颗芯片的静电释放能力弱,很有可能在生产、组装、测试、存放的过程中遭到静电释放而损坏。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种发光二极管封装结构、显示面板及显示装置,用于解决现有技术中led芯片抗静电释放的能力弱,并有可能遭到静电释放而损坏的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供一种发光二极管封装结构,包括:
3、基板;
4、发光单元,包括多个设置在所述基板上的发光二极管芯片;
5、静电保护器件,设置在所述基板上,每个所述发光单元对应一个所述静电保护器件,所述静电保护器件与各
6、平坦层,覆盖于所述静电保护器件和各个所述发光二极管芯片上;以及
7、封装层,覆盖于所述平坦层上。
8、可选地,多个所述发光二极管芯片中包括至少一个红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片以及蓝色发光二极管芯片。
9、可选地,所述静电保护器件为双向静电保护器件。
10、可选地,所述平坦层包括沿背离出光方向依次设置的第一布线层和第二布线层,所述第一布线层上设置有第一金属层,所述第二布线层覆盖在所述第一金属层上,所述第一金属层包括负极导电线路和多个第一正极导电线路,所述静电保护器件和各个所述发光二极管芯片均包括正极端和负极端,所述静电保护器件的负极端与各个所述发光二极管芯片的负极端均电性连接至所述负极导电线路,各个所述第一正极导电线路分别与所述静电保护器件的正极端和各个所述发光二极管芯片的正极端电性连接。
11、可选地,所述第二布线层上设置有第二金属层,所述第二金属层与所述静电保护器件对应的第一正极导电线路电性连接。
12、可选地,所述第二金属层上设置有多个分别与其电性连接的正极端子,所述正极端子突出所述封装层背离所述基板的一侧,所述负极导电线路上设置有与其电性连接的负极端子,所述负极端子突出所述封装层背离所述基板的一侧。
13、可选地,所述第二金属层包括多个第二正极导电线路,所述静电保护器件通过各个所述第二正极导电线路和各个所述正极端子电性连接。
14、可选地,所述发光二极管封装结构还包括黏附层,所述黏附层设置于所述基板与静电保护器件之间以及所述基板与各个所述发光二极管芯片之间。
15、本技术提供一种显示面板,包括背板以及安装于所述背板上的多个如上所述的发光二极管封装结构。
16、本技术提供一种显示装置,包括壳体和设置在所述壳体上的显示面板,所述显示面板包括背板以及安装于所述背板上的发光二极管封装结构,所述发光二极管封装结构为如上所述的发光二极管封装结构。
17、如上所述,本技术的发光二极管封装结构,具有以下有益效果:
18、发光单元设置在基板上,发光单元包括多个设置在基板上的发光二极管芯片。静电保护器件设置在基板上,每个发光单元对应一个静电保护器件,静电保护器件和各个发光二极管芯片同层布置并和各个发光二极管芯片并联。平坦层覆盖在静电保护器件和各个发光二极管芯片上,封装层覆盖在平坦层上。每个发光单元对应设置一个与各个发光二极管芯片并联的静电保护器件,当发光二极管芯片受到静电释放冲击并达到开启电压时,静电保护器件导通,为发光二极管芯片提供电荷疏通通道,保护发光二极管芯片不受损伤。静电保护器件和各个发光二极管芯片同层布置,方便静电保护器件和整体结构的封装。
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1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,多个所述发光二极管芯片中包括至少一个红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片以及蓝色发光二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述静电保护器件为双向静电保护器件。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述平坦层包括沿背离出光方向依次设置的第一布线层和第二布线层,所述第一布线层上设置有第一金属层,所述第二布线层覆盖在所述第一金属层上,所述第一金属层包括负极导电线路和多个第一正极导电线路,所述静电保护器件和各个所述发光二极管芯片均包括正极端和负极端,所述静电保护器件的负极端与各个所述发光二极管芯片的负极端均电性连接至所述负极导电线路,各个所述第一正极导电线路分别与所述静电保护器件的正极端和各个所述发光二极管芯片的正极端电性连接。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二布线层上设置有第二金属层,所述第二金属层与所述静电保护器件对应的第一正极导电线路电性连接。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,多个所述发光二极管芯片中包括至少一个红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片以及蓝色发光二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述静电保护器件为双向静电保护器件。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述平坦层包括沿背离出光方向依次设置的第一布线层和第二布线层,所述第一布线层上设置有第一金属层,所述第二布线层覆盖在所述第一金属层上,所述第一金属层包括负极导电线路和多个第一正极导电线路,所述静电保护器件和各个所述发光二极管芯片均包括正极端和负极端,所述静电保护器件的负极端与各个所述发光二极管芯片的负极端均电性连接至所述负极导电线路,各个所述第一正极导电线路分别与所述静电保护器件的正极端和各个所述发光二极管芯片的正极端电性连接。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二布线层上设置有第二金属层,所述第二金属层与所述静电保护器件对应的第一正极导电线路电性连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈德伪,马非凡,戴广超,赵世雄,雷陈超,
申请(专利权)人:重庆康佳光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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