【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片转移技术，尤其涉及一种缓冲基板组件及巨量转移方法。
技术介绍
1、在芯片显示器件制作过程中，由于有些芯片尺寸小，制作显示器件往往需要大量的微型芯片。将几百万甚至上千万颗微米尺度的微型芯片从生长基底精准转移到显示基板上的技术称为巨量转移技术。采用悬空式巨量转移激光选择性剥离方法，可以快速高效将芯片从生长基底转移到基板上。
2、然而，采用悬空式巨量转移激光选择性剥离方法将芯片剥离至暂存基板过程中，会产生较大的冲击作用，从而致使芯片常发生偏移、tilit等不良现象，严重影响转移良率。
3、因此，如何缓冲芯片下落过程中的冲击力，解决芯片下落至基板发生的偏移及tilit等不良现象是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种缓冲基板组件及巨量转移方法，旨在缓冲芯片下落至暂存基板中受到的冲击力，解决芯片下落过程中常发生的偏移及tilit等不良问题。
2、第一方面，一种缓冲基板组件，包括：
3、基板
4、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种缓冲基板组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述流体缓冲层包括非牛顿流体缓冲层。
3.根据权利要求1所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述基板包括临时基板或显示背板。
4.根据权利要求3所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述基板为显示背板时，所述缓冲基板组件还包括：
5.根据权利要求4所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述背板电极具有第一磁性，所述待转移芯片的电极具有第二磁性；且所述第一磁性与所述第二磁性相反。
6.根据权利要求4所述的缓冲基板组件，其特征在于，沿垂直...
【技术特征摘要】
1.一种缓冲基板组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述流体缓冲层包括非牛顿流体缓冲层。
3.根据权利要求1所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述基板包括临时基板或显示背板。
4.根据权利要求3所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述基板为显示背板时，所述缓冲基板组件还包括：
5.根据权利要求4所述的缓冲基板组件，其特征在于，所述背板电极具有第一磁性，所述待转移芯片的电极具有第二磁性；且所述第一磁性与所述第二磁性相反。
6.根据权利要求4所述的缓冲基板组件，其特征在于，沿垂直于所述基板的延伸方向，所述流体缓冲层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰升友，周睿，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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