【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构和半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、在半导体制程中，一般通过沉积金属层来形成导电结构。若金属层存在结构缺陷，如结晶不充分、金属晶粒粗糙、尺寸不均一、晶相方向不固定等问题，则会影响金属层的导电性，进而影响半导体产品的整体性能与良率。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，以至少在一定程度上改善金属层的结构缺陷问题。
2、根据本公开的第一方面，提供一种半导体结构，包括：电介质层，形成于半导体衬底上；金属层，位于所述电介质层上，具有各向同性的金属晶粒；纵向连接层，位于所述电介质层中并贯穿所述电介质层，连通所述金属层与所述电介质层下方的导电结构。
3、可选的，所述半导体结构还包括：阻挡层和粘合层，位于所述电介质层与所述金属层之间。
4、可选的，所述阻挡层和所述粘合层还覆盖所述纵向连接层的侧壁。
5、可选的，所述半导体结构还包括：金属保护层，覆盖所述金属层的上表面。
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层和所述粘合层还覆盖所述纵向连接层的侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材料为铝。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圆上沉积金属材料并使所述金属材料生长为各向同性的金属晶粒，以形成金属层
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层和所述粘合层还覆盖所述纵向连接层的侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材料为铝。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圆上沉积金属材料并使所述金属材料生长为各向同性的金属晶粒，以形成金属层，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体直流功率为20000-30000w，所述工艺温度为300-480℃。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高温高功率沉积工艺参数还包括：工艺时间30-50s，ar气流30-90...
【专利技术属性】
技术研发人员：王婷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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