温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：电介质层，形成于半导体衬底上；金属层，位于所述电介质层上，具有各向同性的金属晶粒；纵向连接层，位于所述电介质层中并贯穿所述电介质层，连通所述金属层与所述电...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。